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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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FDG6321C-VB-SC70-6封裝 N+P溝道MOSFET

型號： FDG6321C-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 極性 N+P溝道
  • 額定電壓 ±20V
  • 額定電流 2.5A / 1.5A
  • 導(dǎo)通電阻 130mΩ / 230mΩ @ 4.5V, 160
  • 門源電壓 20Vgs (±V)
  • 閾值電壓 ±0.6~2Vth (V)
  • 封裝類型 SC706

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

FDG6321C.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FDG6321C詳細(xì)參數(shù)說明  極性 N+P溝道 額定電壓 ±20V 額定電流 2.5A / 1.5A 導(dǎo)通電阻 130mΩ / 230mΩ @ 4.5V, 160mΩ / 280mΩ @ 2.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 ±0.6~2Vth (V) 封裝類型 SC706應(yīng)用簡介 FDG6321C是一款N+P溝道MOSFET，同時包含了N溝道和P溝道的特性，在各種電源管理和功率放大器應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用范圍。該器件具有較高的額定電壓和額定電流，能夠提供可靠且高效的電流開關(guān)功能。通過控制20Vgs (±V)的門源電壓，可以實現(xiàn)開關(guān)管的導(dǎo)通和截止，實現(xiàn)電流的控制和開關(guān)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。其較低的導(dǎo)通電阻可以降低功耗，并提高系統(tǒng)的效率。FDG6321C采用SC706封裝，封裝小巧，適合在空間有限的應(yīng)用場合中使用。該器件廣泛用于電源開關(guān)、電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動器以及需要同時使用N溝道和P溝道MOSFET的場合。在這些領(lǐng)域中，F(xiàn)DG6321C能夠提供可靠的功率開關(guān)控制和多通道電流傳輸，實現(xiàn)高效能的電流開關(guān)操作?？傊?，F(xiàn)DG6321C是一款N+P溝道MOSFET，適用于電源管理和功率放大器的各種應(yīng)用模塊中，特別適用于需要同時控制正負(fù)電壓的場合，例如電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動器等領(lǐng)域。
 

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