2SJ668-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

MOS管

型號(hào)： 2SJ668-VB

品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

類(lèi)型 P溝道
最大耐壓 60V
最大電流 38A
導(dǎo)通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
門(mén)源電壓 20Vgs (±V)
門(mén)閾電壓 1.3Vth
封裝 TO252

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

2SJ668.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào) 2SJ668絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明類(lèi)型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導(dǎo)通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 1.3Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 2SJ668是一款P溝道MOSFET，適用于負(fù)極電壓控制或負(fù)載開(kāi)關(guān)的高功率應(yīng)用。其最大耐壓為60V，最大電流為38A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個(gè)領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要包括 1. 電源管理模塊適用于需要負(fù)極電壓控制的高功率DCDC轉(zhuǎn)換器、逆變器等。2. 高功率負(fù)載開(kāi)關(guān) 可用于高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源控制器。3. 汽車(chē)電子模塊適用于汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)極電源控制和負(fù)載開(kāi)關(guān)。總之，2SJ668適用于負(fù)極電壓控制和高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，包括電源管理、高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)和汽車(chē)電子模塊等。

微碧半導(dǎo)體VBsemi

2SJ668-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

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