型號(hào) NTD25P03LG-VB
絲印 VBE2338
品牌 VBsemi
參數(shù)
P溝道
-30V電壓
-26A電流
RDS(ON) 33mΩ@10V, 46mΩ@4.5V
20Vgs(±V)閾值電壓
-1.3Vth(V)閾值電壓
TO252封裝
該型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
類型 N溝道P-MOSFET
最大漏源電壓（VDS） -30V
最大漏源電流（ID） -26A
導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） 33mΩ（在10V下），46mΩ（在4.5V下）
門(mén)源閾值電壓（Vgs(th)） -1.3V
最大門(mén)源電壓（Vgs） ±20V
封裝類型 TO252
該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域模塊
電源管理系統(tǒng)
自動(dòng)控制系統(tǒng)
電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)
工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)
LED照明系統(tǒng)等
這些溝道P-MOSFET可以用于電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源逆變器、充放電電路等應(yīng)用。它們?cè)谛枰咝芎偷碗娮璧膱?chǎng)合提供了可靠的功率開(kāi)關(guān)功能。通過(guò)改變門(mén)源電壓控制電阻，它們可以實(shí)現(xiàn)高效的電源管理和電路控制。
