--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道類型 N溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大持續(xù)電流 0.3A
- 開通電阻 2800mΩ @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs
- 閾值電壓 1.6V
- 封裝類型 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào) 2N7002ET1G-VB
絲印 VB162K
品牌 VBsemi
參數(shù)
溝道類型 N溝道
最大耐壓 60V
最大持續(xù)電流 0.3A
開通電阻(RDS(ON)) 2800mΩ @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs
閾值電壓(Vth) 1.6V
封裝類型 SOT23
應(yīng)用簡介
2N7002ET1G-VB是一款小功率N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于低功率電子應(yīng)用。以下是它的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域
1. 信號(hào)開關(guān) 這款MOSFET可以用于信號(hào)開關(guān)電路,例如在通信設(shè)備、音頻放大器和控制電路中,用于控制和管理信號(hào)通路。
2. 電源開關(guān) 在低功率電源管理模塊中,2N7002ET1G-VB可以用于電源開關(guān),用于控制電路的通斷狀態(tài),以提供電源管理功能。
3. 電路保護(hù) 它還可用于電路保護(hù),例如在過電流保護(hù)和過溫度保護(hù)電路中,用于確保電路的安全性和穩(wěn)定性。
4. 邏輯電平轉(zhuǎn)換 由于其低閾值電壓,這款MOSFET可以用于邏輯電平轉(zhuǎn)換,將不同電平的信號(hào)轉(zhuǎn)換為兼容的電平,例如在微控制器和數(shù)字電路中。
總之,2N7002ET1G-VB是一款適用于低功率電子應(yīng)用的N溝道MOSFET,特別適用于信號(hào)開關(guān)、電源開關(guān)、電路保護(hù)和邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。它的低電流和低電壓特性使其成為小型電子設(shè)備中的常見元件。
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