SI2308BDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET產(chǎn)品，采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為60V，額定電流為4A，RDS(ON)參數(shù)為85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(±V)的電壓限制和1~3Vth的閾值電壓范圍。
SI2308BDS-T1-GE3適用于多個應(yīng)用領(lǐng)域。在電源管理、功率轉(zhuǎn)換、驅(qū)動電路和開關(guān)電路等領(lǐng)域中，它可以實現(xiàn)電流控制和功率轉(zhuǎn)換。此外，在汽車電子、消費電子和通信設(shè)備等領(lǐng)域，它也有潛在的應(yīng)用。
