--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT23封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
Si2399DS-T1-GE3 參數(shù): P溝道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
應(yīng)用簡介: Si2399DS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET,適用于需要控制電流的應(yīng)用。
由于其低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),能有效降低導(dǎo)通損耗,在需要高效能轉(zhuǎn)換的電路中表現(xiàn)出色。
常用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換等電路中,如適配器、電池充電器等。
優(yōu)勢: Si2399DS-T1-GE3的主要優(yōu)勢包括:低導(dǎo)通電阻: 具有低的導(dǎo)通電阻,減少了功率損耗和熱量產(chǎn)生。
可靠性: VBsemi是知名半導(dǎo)體品牌,產(chǎn)品經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制,具有高的可靠性。
封裝: 小型SOT23封裝適合空間有限的設(shè)計(jì)。
適用模塊: Si2399DS-T1-GE3 可用于手機(jī)充電模塊中的DC-DC轉(zhuǎn)換器電路。
在手機(jī)充電時(shí),需要將輸入電壓(通常是5V或9V)轉(zhuǎn)換為適合充電電池的電壓。
MOSFET可以在這些轉(zhuǎn)換器中用作開關(guān),控制電流流向,實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。
該型號的低導(dǎo)通電阻有助于減少轉(zhuǎn)換損耗,提高充電效率,同時(shí)SOT23封裝適合手機(jī)模塊的小型設(shè)計(jì)要求。
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