型號(hào)：ZXMN6A25GTA-VB
絲印：VBJ1638
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 類(lèi)型：N溝道
- 額定電壓（Vds）：60V
- 最大持續(xù)電流（Id）：7A
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 10V, 27mΩ @ 4.5V
- 門(mén)源電壓范圍（Vgs）：20V（正負(fù)）
- 閾值電壓范圍（Vth）：1-3V
- 封裝：SOT223
應(yīng)用簡(jiǎn)介：
ZXMN6A25GTA-VB是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有較高的額定電壓和適度的電流承受能力。它適用于多種低功耗電子應(yīng)用，需要高效能耗、低導(dǎo)通電阻和低門(mén)源電壓操作。
詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：
1. **類(lèi)型**：這是一款N溝道MOSFET，意味著它在輸入正電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類(lèi)型的MOSFET通常用于開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)電路中。
2. **額定電壓（Vds）**：它可以承受的最大漏極-源極電壓為60V。這表示在正常工作條件下，其電壓應(yīng)不超過(guò)60V。
3. **最大持續(xù)電流（Id）**：這款MOSFET的最大電流承受能力為7A。雖然不是非常高，但在低功耗應(yīng)用中仍然足夠。
4. **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門(mén)源電壓下，它的RDS(ON)為24mΩ，而在4.5V下為27mΩ。低導(dǎo)通電阻表示它可以在導(dǎo)通狀態(tài)下產(chǎn)生較少的功耗。
5. **門(mén)源電壓范圍（Vgs）**：MOSFET的門(mén)源電壓范圍為20V，這表示需要至少20V的電壓來(lái)控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. **閾值電壓范圍（Vth）**：這款MOSFET的閾值電壓范圍為1-3V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門(mén)源電壓范圍。
7. **封裝**：這款MOSFET采用SOT223封裝，這是一種小型封裝，適用于小型電路板和空間受限的應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域：
ZXMN6A25GTA-VB這款MOSFET適用于多種低功耗電子應(yīng)用，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. **移動(dòng)設(shè)備**：可用于手機(jī)、平板電腦和便攜式電子設(shè)備的電源管理和電池保護(hù)電路。
2. **電源開(kāi)關(guān)**：可用于開(kāi)關(guān)模式電源供應(yīng)器，用于電壓轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定。
3. **LED驅(qū)動(dòng)**：用于LED照明系統(tǒng)的電流控制和調(diào)光控制。
4. **低功耗電子**：可用于嵌入式系統(tǒng)、微控制器和傳感器接口，以降低功耗并提高效率。
5. **電池充放電**：用于電池充電和放電管理電路，以確保安全和高效的電池使用。
總之，這款MOSFET適用于需要高效能耗、低導(dǎo)通電阻和低門(mén)源電壓操作的低功耗電子模塊和設(shè)備。
