--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO263封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:STB30NF20-VB
絲?。篤BL1208N
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 類型:N溝道
- 額定電壓(Vds):200V
- 最大持續(xù)電流(Id):40A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):48mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍(Vgs):20V(正負(fù))
- 閾值電壓(Vth):3.3V
- 封裝:TO263
應(yīng)用簡介:
STB30NF20-VB是一款N溝道場效應(yīng)晶體管(MOSFET),具有高額定電壓和較高電流承受能力。它適用于需要高電壓和高電流開關(guān)的領(lǐng)域,如電源開關(guān)、電機(jī)控制和工業(yè)應(yīng)用。
詳細(xì)參數(shù)說明:
1. **類型**:這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正電壓時導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于開關(guān)和調(diào)節(jié)電路中。
2. **額定電壓(Vds)**:它可以承受的最大漏極-源極電壓為200V。這表示在正常工作條件下,其電壓可以達(dá)到200V。
3. **最大持續(xù)電流(Id)**:這款MOSFET的最大電流承受能力為40A。這使它能夠處理高電流負(fù)載。
4. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為48mΩ,表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對較低。
5. **門源電壓范圍(Vgs)**:MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. **閾值電壓(Vth)**:這款MOSFET的閾值電壓為3.3V。這是啟動MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。
7. **封裝**:這款MOSFET采用TO263封裝,這是一種常見的功率封裝類型,適用于高功率電子應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域:
STB30NF20-VB這款MOSFET適用于多種需要高電壓和高電流開關(guān)的電子模塊和設(shè)備,包括但不限于以下領(lǐng)域模塊:
1. **電源開關(guān)**:可用于高電壓開關(guān)電源,如電壓轉(zhuǎn)換和電源穩(wěn)定。
2. **電機(jī)控制**:在電機(jī)控制器中用于控制電機(jī)的速度和方向,特別是用于工業(yè)電機(jī)。
3. **電力逆變器**:用于逆變器電路,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,如太陽能逆變器和電力逆變器。
4. **高電壓電源管理**:用于高電壓電源管理和電流控制電路,如工業(yè)控制系統(tǒng)。
5. **電動工具**:在需要高功率和高效能的電動工具中,如電動鉆機(jī)和電鋸。
總之,這款N溝道MOSFET適用于需要高電壓和高電流開關(guān)的電子模塊和設(shè)備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在高功率和工業(yè)應(yīng)用中。
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