--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOP8封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào):MMDF3P03HDR2G-VB
絲印:VBA4338
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 類型:2個(gè)P溝道
- 額定電壓(Vds):-30V
- 最大持續(xù)電流(Id):-7A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):35mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍(Vgs):20V(正負(fù))
- 閾值電壓(Vth):-1.5V
- 封裝:SOP8
應(yīng)用簡(jiǎn)介:
MMDF3P03HDR2G-VB是一款雙P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),適用于需要負(fù)向電壓操作的電子應(yīng)用。它在電源開關(guān)、電池管理和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
1. **類型**:這是一款雙P溝道MOSFET,意味著它在輸入負(fù)向電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要同時(shí)控制兩路負(fù)向電壓的電路中。
2. **額定電壓(Vds)**:它可以承受的最大漏極-源極電壓為-30V。這表示它可以在負(fù)向電壓條件下工作。
3. **最大持續(xù)電流(Id)**:這款MOSFET的最大電流承受能力為-7A。負(fù)號(hào)表示電流流向是從源到漏極。
4. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為35mΩ,表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對(duì)較低。
5. **門源電壓范圍(Vgs)**:MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來(lái)控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. **閾值電壓(Vth)**:這款MOSFET的閾值電壓為-1.5V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。
7. **封裝**:這款MOSFET采用SOP8封裝,這是一種常見的封裝類型,適用于多種電路應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域:
MMDF3P03HDR2G-VB這款雙P溝道MOSFET適用于多種需要負(fù)向電壓操作的電子模塊和設(shè)備,包括但不限于以下領(lǐng)域模塊:
1. **電源開關(guān)**:可用于負(fù)向電壓電源開關(guān),如電壓轉(zhuǎn)換和電源控制。
2. **電池管理**:可用于電池充電和放電管理,以確保安全和高效的電池使用。
3. **負(fù)載開關(guān)**:用于控制負(fù)載的通斷,如LED照明系統(tǒng)、電動(dòng)工具和電子設(shè)備。
4. **電源保護(hù)**:可用于電源保護(hù)電路,以防止過流、過壓等異常情況。
5. **電流控制**:可用于電流控制電路,如電機(jī)控制和電流放大器。
總之,這款雙P溝道MOSFET適用于需要負(fù)向電壓操作的電子模塊和設(shè)備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在需要控制兩路負(fù)向電壓的應(yīng)用中。
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