型號(hào)：MMDF3P03HDR2G-VB
絲印：VBA4338
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 類型：2個(gè)P溝道
- 額定電壓（Vds）：-30V
- 最大持續(xù)電流（Id）：-7A
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：35mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍（Vgs）：20V（正負(fù)）
- 閾值電壓（Vth）：-1.5V
- 封裝：SOP8
應(yīng)用簡(jiǎn)介：
MMDF3P03HDR2G-VB是一款雙P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于需要負(fù)向電壓操作的電子應(yīng)用。它在電源開關(guān)、電池管理和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：
1. **類型**：這是一款雙P溝道MOSFET，意味著它在輸入負(fù)向電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要同時(shí)控制兩路負(fù)向電壓的電路中。
2. **額定電壓（Vds）**：它可以承受的最大漏極-源極電壓為-30V。這表示它可以在負(fù)向電壓條件下工作。
3. **最大持續(xù)電流（Id）**：這款MOSFET的最大電流承受能力為-7A。負(fù)號(hào)表示電流流向是從源到漏極。
4. **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為35mΩ，表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對(duì)較低。
5. **門源電壓范圍（Vgs）**：MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來(lái)控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. **閾值電壓（Vth）**：這款MOSFET的閾值電壓為-1.5V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。
7. **封裝**：這款MOSFET采用SOP8封裝，這是一種常見的封裝類型，適用于多種電路應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域：
MMDF3P03HDR2G-VB這款雙P溝道MOSFET適用于多種需要負(fù)向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊：
1. **電源開關(guān)**：可用于負(fù)向電壓電源開關(guān)，如電壓轉(zhuǎn)換和電源控制。
2. **電池管理**：可用于電池充電和放電管理，以確保安全和高效的電池使用。
3. **負(fù)載開關(guān)**：用于控制負(fù)載的通斷，如LED照明系統(tǒng)、電動(dòng)工具和電子設(shè)備。
4. **電源保護(hù)**：可用于電源保護(hù)電路，以防止過流、過壓等異常情況。
5. **電流控制**：可用于電流控制電路，如電機(jī)控制和電流放大器。
總之，這款雙P溝道MOSFET適用于需要負(fù)向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，提供電源控制和電流管理的功能，特別是在需要控制兩路負(fù)向電壓的應(yīng)用中。
