--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 DFN8(5X6)封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào):SI7478DP-T1-GE3-VB
絲印:VBQA1606
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類(lèi)型:N溝道
- 額定電壓:60V
- 最大連續(xù)電流:90A
- 靜態(tài)開(kāi)啟電阻(RDS(ON)):6mΩ @ 10V
- 門(mén)源極電壓(Vgs):20V(±V)
- 閾值電壓(Vth):3.6V
- 封裝類(lèi)型:DFN8(5X6)
應(yīng)用簡(jiǎn)介:
SI7478DP-T1-GE3-VB 是一款N溝道功率MOSFET,具有高電壓和高電流承受能力,以及低導(dǎo)通電阻。這使得它在多種高功率和高電壓應(yīng)用中非常有用。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域模塊:
1. **電源模塊**:該N溝道MOSFET適用于高功率電源模塊,如開(kāi)關(guān)電源、DC-DC變換器和逆變器。它可以在這些應(yīng)用中用作開(kāi)關(guān)器件,以有效地調(diào)整和控制電壓和電流。
2. **電機(jī)控制模塊**:SI7478DP-T1-GE3-VB 可以用于電機(jī)控制模塊,包括直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。其低導(dǎo)通電阻有助于提高電機(jī)效率。
3. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,它可以用于電池保護(hù)、充電和放電控制,以確保電池的安全和高效運(yùn)行。
4. **高頻開(kāi)關(guān)模塊**:對(duì)于需要高頻開(kāi)關(guān)的應(yīng)用,例如射頻(RF)模塊或高頻電源,該MOSFET可提供低開(kāi)啟電阻,有助于減小功率損耗。
5. **LED驅(qū)動(dòng)模塊**:在LED照明系統(tǒng)中,SI7478DP-T1-GE3-VB 可用于驅(qū)動(dòng)LED,以實(shí)現(xiàn)亮度控制和顏色調(diào)節(jié)。
由于其高電壓和電流特性以及低導(dǎo)通電阻,SI7478DP-T1-GE3-VB 在需要處理大功率的應(yīng)用中非常有用。在實(shí)際應(yīng)用中,請(qǐng)務(wù)必遵守?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)中的電氣規(guī)格和工作條件,以確保最佳性能和可靠性。
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