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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SIR802DP-T1-GE3-VB一款N溝道DFN8(5X6)封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: SIR802DP-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 DFN8(5X6)封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:SIR802DP-T1-GE3-VB
絲?。篤BQA1302
品牌:VBsemi
參數(shù)說明:
- MOSFET類型:N溝道
- 額定電壓:30V
- 最大電流:160A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):1.8mΩ @ 10V, 2.5mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 閾值電壓(Vth):2V
- 封裝:DFN8(5X6)

應(yīng)用簡介:
SIR802DP-T1-GE3-VB是一款高性能N溝道MOSFET,適用于需要高電流和低導(dǎo)通電阻的電子設(shè)備和電路中。它在一些特定領(lǐng)域的模塊中具有廣泛的應(yīng)用。

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊說明:**

1. **電源模塊**:
  - 由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流承受能力,SIR802DP-T1-GE3-VB適用于高功率電源模塊。
  - 可用于開關(guān)電源、DC-DC變換器、高性能服務(wù)器電源、電動汽車充電樁等領(lǐng)域,提供高效的電能轉(zhuǎn)換。

2. **電機(jī)驅(qū)動模塊**:
  - 該MOSFET的高電流和低導(dǎo)通電阻使其成為電機(jī)驅(qū)動模塊的理想選擇。
  - 在電動工具、電動汽車電機(jī)驅(qū)動、電機(jī)控制等領(lǐng)域中用于提高電機(jī)的性能和效率。

3. **電池管理模塊**:
  - SIR802DP-T1-GE3-VB可用于高功率電池管理模塊中的電池充電和放電控制。
  - 用于電動汽車、太陽能逆變器、工業(yè)UPS等領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)高功率電池的安全和高效管理。

4. **高功率開關(guān)模塊**:
  - 在需要高功率開關(guān)控制的應(yīng)用中,如高功率電機(jī)控制、電池電壓調(diào)節(jié)等領(lǐng)域,該MOSFET非常有用。
  - 幫助實(shí)現(xiàn)高功率電路的可靠和精確控制。

5. **工業(yè)自動化模塊**:
  - 由于其高性能和可靠性,SIR802DP-T1-GE3-VB可用于工業(yè)自動化模塊,如PLC(可編程邏輯控制器)和傳感器控制。
  - 幫助實(shí)現(xiàn)工廠自動化和機(jī)器人控制。

總結(jié),SIR802DP-T1-GE3-VB是一款高性能的N溝道MOSFET,適用于高功率電源、電機(jī)驅(qū)動、電池管理、高功率開關(guān)和工業(yè)自動化等多個領(lǐng)域的模塊。其低導(dǎo)通電阻、高電流承受能力和高性能特性使其成為各種高功率電子設(shè)備和系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分,有助于提高效率和性能。

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