--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:2SJ598-Z-E1-AZ-VB
絲印:VBE2610N
品牌:VBsemi
參數(shù):
- P溝道
- 最大耐壓:-60V
- 最大漏電流:-38A
- 靜態(tài)導通電阻(RDS(ON)):61mΩ @ 10V, 72mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓(Vth):-1.3V
- 封裝:TO252
應用簡介:
這款2SJ598-Z-E1-AZ-VB是一款P溝道場效應晶體管,適用于多種電子應用領域。其低導通電阻和耐壓特性使其非常適合用于功率控制和開關電路。該器件在負責電源管理和功率放大的應用中表現(xiàn)出色。
領域模塊應用:
1. 電源管理模塊:2SJ598-Z-E1-AZ-VB可用于開關電源、穩(wěn)壓器等電源管理模塊,以提供高效的電能控制。
2. 功率放大模塊:它也可以用于放大信號的模塊,如音頻放大器,以增強音頻信號的放大效果。
3. 開關電路:由于其P溝道特性,它適用于各種開關電路,如開關模式電源和電子開關。
這些特性和應用使2SJ598-Z-E1-AZ-VB在電子行業(yè)中具有廣泛的用途。
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