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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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Si2329DS-T1-GE3-VB一種P溝道SOT23封裝MOS管

型號(hào): Si2329DS-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi Si2329DS-T1-GE3-VB 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明與應(yīng)用簡(jiǎn)介**

**參數(shù)說(shuō)明:**
- **型號(hào):** Si2329DS-T1-GE3-VB
- **絲?。?* VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **封裝:** SOT23
- **通道類(lèi)型:** P—Channel溝道
- **工作電壓:** -20V
- **最大電流:** -4A
- **導(dǎo)通電阻:** RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V
- **閾值電壓:** Vth=-0.81V

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
VBsemi的Si2329DS-T1-GE3-VB是一款SOT23封裝的P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,適用于低功率、負(fù)電壓的電子應(yīng)用。該器件在電源管理、信號(hào)開(kāi)關(guān)和一些負(fù)電壓電路中有廣泛的應(yīng)用。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:**
1. **電源管理模塊:** Si2329DS-T1-GE3-VB可用于電源管理模塊,作為電源開(kāi)關(guān)或電源調(diào)整器件,提供低功耗的電源管理,特別適用于負(fù)電壓電源。

2. **信號(hào)開(kāi)關(guān)模塊:** 適用于負(fù)電壓條件下的信號(hào)開(kāi)關(guān)模塊,可用于實(shí)現(xiàn)在負(fù)電壓條件下的信號(hào)切換和控制。

3. **負(fù)電壓電路:** 由于器件是P溝道,適用于一些負(fù)電壓電路,例如在負(fù)電壓邏輯電路中的應(yīng)用。

**作用:**
- **電流控制:** Si2329DS-T1-GE3-VB可作為電流控制的關(guān)鍵元件,通過(guò)調(diào)整其導(dǎo)通電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電路中電流的控制。

- **信號(hào)切換:** 適用于信號(hào)開(kāi)關(guān)模塊,實(shí)現(xiàn)在負(fù)電壓條件下的信號(hào)切換和控制。

**使用注意事項(xiàng):**
1. **電源極性:** 由于是P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,注意器件適用的電源極性為負(fù)電壓。

2. **散熱設(shè)計(jì):** 在高功率應(yīng)用中,需要合理設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng),確保器件工作在適當(dāng)?shù)臏囟确秶鷥?nèi),以維持其性能和壽命。

3. **電壓與電流限制:** 注意器件的最大工作電壓和電流,不要超過(guò)規(guī)定的參數(shù)范圍,以防止損壞器件。

4. **防靜電措施:** 在搬運(yùn)和使用過(guò)程中,請(qǐng)采取防靜電措施,避免靜電對(duì)器件的影響。

5. **參考數(shù)據(jù)手冊(cè):** 在設(shè)計(jì)電路時(shí),請(qǐng)仔細(xì)閱讀器件的數(shù)據(jù)手冊(cè),確保按照廠家提供的建議來(lái)設(shè)計(jì)和使用。

綜上所述,Si2329DS-T1-GE3-VB是一款適用于低功率、負(fù)電壓電子應(yīng)用的P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,廣泛應(yīng)用于電源管理模塊、信號(hào)開(kāi)關(guān)模塊以及一些負(fù)電壓電路中。在使用時(shí),請(qǐng)遵循相關(guān)的使用注意事項(xiàng),以確保器件在各種應(yīng)用場(chǎng)景下的可靠性和性能。

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