--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO251封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
VBsemi STD3NK60Z-1-VB MOSFET 參數(shù):
- 封裝:TO251
- 溝道類型:N—Channel
- 最大電壓:650V
- 最大電流:2A
- RDS(ON):4300mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:2V
應(yīng)用簡介:
該 MOSFET 適用于低功率應(yīng)用,如電源開關(guān)、照明控制和電源適配器。其N—Channel溝道類型使其在正電壓操作的電路中具有優(yōu)越性能。
使用領(lǐng)域模塊:
1. 電源開關(guān):作為低功率電源開關(guān)元件,用于小型電源系統(tǒng)。
2. 照明控制:在低功率照明系統(tǒng)中作為電流控制元件。
3. 電源適配器:用于低功率電源適配器電路。
作用:
1. 提供低功率應(yīng)用的高效能力。
2. 在電源開關(guān)和照明控制中實現(xiàn)正電壓操作。
3. 適用于低功率電源適配器電路。
使用注意事項:
1. 請按照數(shù)據(jù)手冊提供的最大額定值操作,以避免損壞設(shè)備。
2. 在設(shè)計中考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧源_保器件在額定工作溫度下穩(wěn)定運行。
3. 避免超過最大額定電流和電壓,以防止設(shè)備過載。
4. 在使用過程中,注意靜電防護(hù),避免損壞敏感元件。
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