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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MTB50P03HDLT4G-VB一款P溝道TO263封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: MTB50P03HDLT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 TO263封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**MTB50P03HDLT4G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:**

- **品牌:** VBsemi
- **絲印:** VBL2309
- **封裝:** TO263
- **參數(shù):** 
 - P—Channel溝道
 - 額定電壓:-30V
 - 最大電流:-75A
 - RDS(ON):8mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓(Vth):-2V

**應(yīng)用簡介:**

MTB50P03HDLT4G-VB是一款TO263封裝的P—Channel溝道場效應(yīng)晶體管,適用于高電流和中等電壓的功率開關(guān)和放大應(yīng)用。

**領(lǐng)域模塊及作用:**

1. **電源開關(guān):** 用于高電流電源模塊的功率開關(guān),提供可靠的電源開關(guān)解決方案。

2. **電機(jī)驅(qū)動:** 適用于大功率電機(jī)控制,例如在電動工具和工業(yè)機(jī)械中的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)。

3. **電子變換器:** 適用于電子變換器,如電源適配器和照明系統(tǒng)中的功率開關(guān)。

**使用注意事項:**

1. **電壓和電流限制:** 不要超過規(guī)定的最大電壓和電流,以防止器件損壞。

2. **溫度控制:** 在操作過程中保持適當(dāng)?shù)臏囟?,避免過熱。

3. **靜電防護(hù):** 在處理和安裝時采取防靜電措施,以防止靜電損害。

4. **閾值電壓:** 確保正確的閾值電壓,以確保器件在正常工作范圍內(nèi)。

以上信息僅供參考,具體應(yīng)用需根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整。

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