--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 2個(gè)N溝道
- 封裝 DFN8(3X3)封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**VBsemi CSD17308Q3-VB 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- **絲印標(biāo)識(shí):** VBQF1310
- **品牌:** VBsemi
- **封裝:** DFN8(3X3)
- **通道類(lèi)型:** 2個(gè)N—Channel溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **漏極-源極電流(ID):** 40A
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓(Vth):** 2.3V
**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
VBsemi CSD17308Q3-VB 是一款DFN8(3X3)封裝的N—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),主要用于高功率、低導(dǎo)通電阻的功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
**主要應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:**
1. **電源模塊:** 適用于直流-直流(DC-DC)變換器、電源開(kāi)關(guān)控制等。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊:** 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,提供高電流和低導(dǎo)通電阻的特性。
3. **電源開(kāi)關(guān)模塊:** 在高功率電源開(kāi)關(guān)模塊中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
**作用:**
- 提供高電流和低導(dǎo)通電阻的功率開(kāi)關(guān)控制。
- 用于驅(qū)動(dòng)和控制電源、電機(jī)等高功率模塊。
**使用注意事項(xiàng):**
1. **電壓等級(jí):** 在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)使用,不要超過(guò)產(chǎn)品標(biāo)稱(chēng)的最大漏極-源極電壓。
2. **電流負(fù)載:** 注意電流負(fù)載不要超過(guò)產(chǎn)品的額定電流。
3. **工作溫度:** 在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)使用,避免超溫操作。
以上信息僅為參考,實(shí)際使用時(shí)請(qǐng)仔細(xì)閱讀產(chǎn)品手冊(cè)和規(guī)格書(shū),確保正確使用,并遵循廠(chǎng)商的建議和注意事項(xiàng)。
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