**IPD50N06S2-14-VB 詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：**
- **參數(shù)：**
- 絲印：VBE1615
- 品牌：VBsemi
- 封裝：TO252
- 類型：N—Channel溝道
- 額定電壓：60V
- 額定電流：60A
- RDS(ON)：9mΩ @ VGS=10V, 20V
- 閾值電壓：1.87V
- **應(yīng)用簡(jiǎn)介：**
- IPD50N06S2-14-VB是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于高功率開關(guān)和電源控制。
- **應(yīng)用領(lǐng)域：**
- 高功率開關(guān)模塊
- 電源控制模塊
- **作用：**
- 在高功率開關(guān)模塊中，用于控制電路的導(dǎo)通和切斷，適用于高功率設(shè)備。
- 在電源控制模塊中，用于實(shí)現(xiàn)電源的高效開關(guān)和調(diào)節(jié)，適用于大功率電子設(shè)備。
- **使用注意事項(xiàng)：**
- 絲印VBE1615對(duì)應(yīng)IPD50N06S2-14-VB，確保正確識(shí)別。
- 在規(guī)定的電壓和電流范圍內(nèi)使用，以防損壞設(shè)備。
- 遵循制造商提供的電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用建議。
