--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 2個(gè)N溝道
- 封裝 DFN8(3X3)封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 型號(hào):SIS412DN-T1-GE3-VB
- 絲?。篤BQF1320
- 品牌:VBsemi
- 封裝:DFN8(3X3)
- 類型:2個(gè)N-Channel溝道
- 額定電壓:30V
- 額定電流:18A
- 導(dǎo)通電阻:20mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:1.5V
**應(yīng)用簡介:**
這是一款集成了兩個(gè)N-Channel溝道的功率場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET),適用于DFN8(3X3)封裝。其特點(diǎn)包括30V的額定電壓,18A的額定電流,低導(dǎo)通電阻等,使其適用于小型高功率電子應(yīng)用。
**應(yīng)用領(lǐng)域:**
該器件常用于電源開關(guān)、功率放大、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等小型電子模塊。在這些模塊中,它可以用于小型電源的功率調(diào)節(jié)、小型電機(jī)的驅(qū)動(dòng)和控制,以及小型信號(hào)的放大。
**作用:**
- 在小型電源開關(guān)模塊中,可用于小功率電源的功率調(diào)節(jié)和控制。
- 在小型功率放大模塊中,可用于小功率信號(hào)的放大。
- 在小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,可用于小功率電機(jī)的驅(qū)動(dòng)和控制。
**使用注意事項(xiàng):**
- 嚴(yán)格按照數(shù)據(jù)手冊提供的最大額定值操作,以防止器件損壞。
- 注意器件的靜電敏感性,采取適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)措施。
- 在設(shè)計(jì)中考慮散熱和溫度管理,確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
- 遵循適當(dāng)?shù)暮附雍桶惭b標(biāo)準(zhǔn),以確保可靠的電氣連接和機(jī)械強(qiáng)度。
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