Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET
Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET是基于獨特的“共源共柵”電路配置的1200V、23mΩ器件。在此配置中，常開SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，從而產(chǎn)生常關(guān)SiC FET器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換Si IGBT、Si超級結(jié)器件或SiC MOSFET時需要最少的重新設計。這些器件采用節(jié)省空間的D2PAK-7L封裝（實現(xiàn)自動化組裝），表現(xiàn)出超低柵極電荷和卓越的反向恢復特性。Qorvo UF4SC120023B7S G4 SiC FET非常適合開關(guān)感應負載和需要標準柵極驅(qū)動的應用。
特點
23mW典型導通電阻
+175°C最高工作溫度
出色的243nC反向恢復
低1.2V體二極管
低37.8nC柵極充電
4.8V典型閾值電壓，允許0V至15V驅(qū)動
低本征電容
HBM 2級和CDM C3級ESD保護
D2PAK-7L封裝可實現(xiàn)更快的切換、干凈的柵極波形
符合無鉛、無鹵和危害性物質(zhì)限制指令
應用程序
電動汽車充電
PV逆變器
開關(guān)模式電源
功率因數(shù)校正模塊
感應加熱
