Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMT
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) HEMT（高電子遷移率晶體管）是一款非對稱雙路功率放大器晶體管，適合用于Doherty應(yīng)用。QPD0011的頻率范圍為3.3GHz至3.6GHz，最大Doherty增益為13.3db。每條路徑中均包含一個單級放大器晶體管。QPD0011采用Doherty配置，平均功率為15W。
Qorvo QPD0011碳化硅基氮化鎵HEMT采用緊湊的7.0mm x 6.5mm DFN封裝。
QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMT特性
工作頻率范圍：3.3GHz至3.6GHz
工作漏極電壓 (VD)：+48V
最高Doherty峰值功率：90W（3.5GHz時）
最高Doherty漏極效率：48%（3.5GHz時）
最大Doherty增益：13.3dB（3.5GHz時）
飽和時輸出功率 (PSAT)：49.5dBm
靜態(tài)漏極電流 (IDQ)：65mA
7.0mm x 6.5mm DFN封裝
無鹵、無鉛，符合RoHS指令
QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMT應(yīng)用
WCDMA和LTE
微蜂窩基站
微蜂窩基站
小型蜂窩
有源天線
5G大規(guī)模MIMO
非對稱Doherty應(yīng)用
