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深圳市華灃恒霖電子科技有限公司

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QPM5811 0.5W GaAs MMIC前端模塊

型號(hào)： QPM5811 0.5W GaAs MMIC前端模塊

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 工作溫度 85

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Qorvo QPM5811 0.5W GaAs MMIC前端模塊
Qorvo QPM5811 0.5W GaAs（砷化鎵）MMIC前端模塊 (FEM) 優(yōu)化用于頻率范圍為8.5GHz至10.5GHz的X波段雷達(dá)應(yīng)用。QPM5811在單一封裝中集成了發(fā)射/接收開關(guān)、低噪聲放大器和功率放大器。其接收路徑提供26dB增益，低噪聲系數(shù)為2.0dB。其發(fā)射路徑提供30dB小信號(hào)增益。該器件可提供0.5W飽和功率，45%功率附加效率 (PAE) 以及23.5dB大信號(hào)增益。
Qorvo QPM5811前端模塊采用6.0mm x 6.0mm表面貼裝QFN封裝，包覆成型封裝，具有高導(dǎo)熱性芯片連接工藝。該封裝讓器件在高溫環(huán)境中能夠保持出色的性能。

QPM5811 0.5W GaAs MMIC前端模塊特性
頻率范圍：8.5GHz至10.5GHz
飽和輸出功率 (PSAT)：49.5dBm
功率附加效率 (PAE)：45%
大信號(hào)增益：23.5dB
小信號(hào)增益：26dB
噪聲系數(shù)：2dB
6.0mm x 6.0mm QFN封裝
無鉛、無鹵、符合RoHS指令
QPM5811 0.5W GaAs MMIC前端模塊應(yīng)用
通信
雷達(dá)

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