散熱設計、輸入短路和反接保護 - 汽車電子降壓型BUCK變換器設計關鍵及注意事項

2012年07月13日 11:49 來源:維庫電子市場 作者:互聯(lián)網(wǎng) 我要評論(0)

  3 散熱設計

  功率MOSFET 選擇標準中包含導通電阻 R DS (ON ) ,密勒電容C MILLER ,輸入電壓和最大電壓和最大輸出電流。CMILLER 可由MOSFET 的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手則給出的柵極充電曲線近似求出。CMILLER 等于柵極電荷沿橫軸的增加,而曲線大約由VDS 的規(guī)定變化水平分割,然后由此結果與應用中施加的VDS 和柵極的充電曲線規(guī)定VDS 比值相乘。工作CCM 時高端和低端的MOSFET 占空經(jīng)由下式給出:

  主開關管占空比:D = VOUT /VIN。

  同步開關管占空比:V IN -VOUT /VIN 。

  最大輸出電流條件下MOSFET 的功耗由下式給出:

  

  式中:δ是R DS (ON ) 的溫度系數(shù), R DR約為4 歐姆,是在MOSFET 密勒門限電壓條件下有效驅(qū)動電阻, V THMIN是典型的MOSFET 的最小門限電壓。

  兩個MOSFET 均具有I2R 損耗,而高端N 溝道的公式中包含一個用于計算轉(zhuǎn)換損耗的附加項,這在高輸入電壓條件最大。當VIN《20V時采用較大的MOSFET 通常可提高大電流的效率,而當VIN》20V 時轉(zhuǎn)換損耗迅速增加。這時采用具有較高 R DS (ON )器件和較低 C MILLER實際上可提供更高的效率。同步MOSFET 在高輸入電壓下,當高端工作于低占空比時或短路期間,同步管接近100%時間里處于導通狀態(tài)時,此時損耗最大。1+δ 項通常以一個歸一化的 R DS (ON ) 與溫度的關系曲線形式提供給MOSFET,但對于低壓MOSFET,δ =0.005/℃可被用作一個近似值。

  肖特基二極管在兩個功率MOSFET 導通期間的死區(qū)導通,可以防止低端MOSFET 的體內(nèi)二極管導通,在死區(qū)時間儲存電荷,形成反向恢復。在高VIN 條件下會導致效率減小至少3%。由于流過的平均電流相對較小,因此采用1 或3A 的肖特基二極管是一個較好的方案。

  較大的二極管因其具有的結電容較大故會產(chǎn)生額外的轉(zhuǎn)換損耗。

  效率與芯片的最高工作溫度相關。汽車電子所用的芯片通常為I或H級,對于I級,芯片的結溫必須小于125°C,對于H級,芯片的結溫必須小于150°C。對于許多單芯片的BUCK控制器,在低的環(huán)境溫度下,結溫一般不是問題。但對于I級,環(huán)境溫度高于85°C時,必須小心仔細的進行電路的設計以保證芯片能夠充分的散熱。對于H級,環(huán)境溫度高于125°C時,必須對最大的允許工作電流進行降額設計。

  結溫通過芯片的功率損耗乘以結到環(huán)境的熱阻Rja進行計算。滿載時芯片的溫升幾乎完全不依賴于輸入電壓,不加散熱器時,熱阻取決于PCB的設計。在單芯片底部通常有一個裸露的襯墊,因此設計PCB時必須在對應的位置也相應的制作這樣的一個大銅皮焊盤,同時這個大焊盤通過一些過孔連接到其它的地層平面,以利于散熱。

  4 輸入短路和反接保護

  如果電感的飽和電流足夠大,BUCK控制器短路時由于具有短路保護功能,因此不會產(chǎn)生損壞。在一些電池充電系統(tǒng)中以及用電池作備份的系統(tǒng)中,電池以及其它的一些電源通過二極管以“與”的形式一起共同連接到BUCK控制器的輸出端時,當BUCK控制器輸入端斷開時,輸出端仍有高的電壓。注意到BUCK控制器通常有一個/SHDN管腳到控制系統(tǒng)的工作與關斷,低電平有效,通常以作SS軟起動功能。一般此管腳通過一個電阻或直接連接到輸入端。當輸入端浮空時,輸出電壓通過電感,內(nèi)部高端的MOSFET反向并聯(lián)寄生二極管到輸入端,/SHDN管腳為高電平,這樣,BUCK控制器內(nèi)部的電路通過電感從輸出電壓吸取幾個毫安的靜態(tài)的工作電流,影響電池的使用時間。當然如果/SHDN管腳為低電平,則此靜態(tài)的工作電流為0。如果輸入短路,輸出電壓通過電感,內(nèi)部高端的MOSFET反向并聯(lián)寄生二極管到輸入端,從而導致輸出電壓也短路,這樣電池將會快速的放電。下圖就是防止電池在輸入短路狀況下反向放電的保護電路,D4也防止輸入的反接,只有在有輸入電壓里系統(tǒng)才工作。

  圖6:防止輸入短路時輸出備份電池反向放電電路

  圖6:防止輸入短路時輸出備份電池反向放電電路

  結論

  1、合適的開關頻率可以保證系統(tǒng)具有足夠的輸入工作電壓范圍,同時使電感和電容的尺寸和體積最小。

  2、實際最大的輸入工作電壓由MOSFET所要求的最短導通時間決定,實際最小的輸入工作電壓由MOSFET所要求的最短關斷時間決定。

  3、必須抑制輸入瞬態(tài)電壓,檢查散熱設計,增加輸入短路和反接保護電路,以保證系統(tǒng)的安全工作。

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