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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>規(guī)則標(biāo)準(zhǔn)>地面用薄膜光伏組件設(shè)計(jì)鑒定和定型 GB/T 18911-20

地面用薄膜光伏組件設(shè)計(jì)鑒定和定型 GB/T 18911-20

2009-02-24 | rar | 322 | 次下載 | 10積分

資料介紹

地面用薄膜光伏組件設(shè)計(jì)鑒定和定型 GB/T 18911-2002/IEC 61646:1996

本標(biāo) 準(zhǔn) 規(guī) 定了地面用薄膜光伏組件設(shè)計(jì)鑒定和定型的要求,該組件是在GB/T 4797.1 -1984和
IEC 60721-2-1第1修正案:1987中所定義的一般室外氣候條件下長(zhǎng)期使用。本標(biāo)準(zhǔn)制定時(shí)是以非晶
硅薄膜組件技術(shù)為主,但同樣適用于其他薄膜光伏組件。鑒于其他新技術(shù)的特殊性能,有可能需要對(duì)該
試驗(yàn)程序做修訂。
本試 驗(yàn) 程 序主要依據(jù)GB/T 9535-1998《地面用晶體硅光伏組件設(shè)計(jì)鑒定和定型》而制定,針對(duì)
非晶硅薄膜組件的特殊性能作了一些必要的修改。光老煉用于區(qū)別光致衰減與其他衰減機(jī)制,并將試
驗(yàn)程序后期的最大功率作為薄膜組件長(zhǎng)期工作性能估計(jì)。為區(qū)別熱循環(huán)和濕一熱試驗(yàn)中可能產(chǎn)生的退
火效應(yīng),組件在這些試驗(yàn)之前需進(jìn)行退火。對(duì)于不采用非晶硅的其他薄膜形成技術(shù),諸如光老煉和退火
的預(yù)處理可能不同或可能證明是不需要。因?yàn)樗蓄?lèi)型的薄膜組件易受潮引起侵蝕,故須增加一個(gè)濕
漏電流試驗(yàn)。
本試 驗(yàn) 程 序的目的是在盡可能合理的經(jīng)費(fèi)和時(shí)間內(nèi)確定組件的電性能和熱性能,表明組件能夠在
規(guī)定的氣候條件下長(zhǎng)期使用。通過(guò)此試驗(yàn)的組件的實(shí)際使用壽命期望值將取決于組件的設(shè)計(jì)以及它們
使用的環(huán)境和條件。
本 標(biāo) 準(zhǔn) 不適用于帶聚光器的組件。
2 規(guī)范性引用文件
下 列 文 件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨
后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成
協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用
于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB /T 2 421-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第1部分:總則(idtI EC6 0068-1:1988、第1修正案:
1992)
GB /T 2 423.3 -1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法
(eqv IEC 60068-2-3:1984)
GB /T 2 423.29 -1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)U:引出端及整體安
裝件強(qiáng)度(idtIEC 60068-2-21:1992)
GB /T 2 829-2002 周期檢驗(yàn)計(jì)數(shù)抽樣程序及表(適用于對(duì)過(guò)程穩(wěn)定性的檢驗(yàn))
GB /T 4 797.1- 1984 電工電子產(chǎn)品自然環(huán)境條件溫度與濕度(neqI EC 60721-2-1:1982)
GB /T 6 495.1- 1996 光伏器件第1部分:光伏電流一電壓特性的測(cè)量((idtI EC6 0904-1:1987)
GB /T 6 495.3- 1996 光伏器件第3部分:地面用光伏器件的測(cè)試原理及標(biāo)準(zhǔn)光譜輻照度數(shù)據(jù)
(idt IEC 60904-3:1989)
GB /T 6 495.4 ---19 96 晶體硅光伏器件I-V實(shí)測(cè)特性的溫度和輻照度修正方法(idtI EC 60891:
1987、第1修正案:1992)
GB /T 9 535-1998 地面用晶體硅光伏組件設(shè)計(jì)鑒定和定型(eqvI EC 61215:1993)
GB / T 2423.2 -2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫

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