資料介紹
使用波長(zhǎng)351nm 的半導(dǎo)體泵浦全固態(tài)脈沖激光器作為光源,經(jīng)過(guò)位相光柵分束,形成干涉光場(chǎng),在硅表面直接刻蝕微結(jié)構(gòu),制作了周期為0.55μm,槽深可達(dá)55nm 的一維微光柵和周期為1.25μm,刻蝕深度45nm 的正交微光柵結(jié)構(gòu).給出了微光柵形貌結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡的測(cè)量結(jié)果.正交微光柵的一級(jí)衍射效率在1.8%~6.3%之間.該研究是改變硅表面微結(jié)構(gòu),優(yōu)化硅材料特性的一種新方法,并擴(kuò)展了大功率激光刻蝕在表面微加工領(lǐng)域的應(yīng)用。
本文采用半導(dǎo)體泵浦全固態(tài)脈沖激光器作為光源,分別用雙光束和四光束進(jìn)行了干涉刻蝕實(shí)驗(yàn),在硅材料表面制作了一維和二維正交微光柵結(jié)構(gòu).這種在硅表面直接進(jìn)行微加工的方法,工藝簡(jiǎn)潔,運(yùn)行效率和刻蝕微結(jié)構(gòu)精細(xì)程度較高。
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