TMS320VC55x系列DSP的Flash燒寫方法分析

　1 引言
　　隨著數(shù)字信號處理技術(shù)的快速發(fā)展，DSP（數(shù)字信號處理器）越來越廣泛地應(yīng)用于各種數(shù)字信號處理系統(tǒng)中。最終開發(fā)的系統(tǒng)要想脫離仿真器運(yùn)行，必須將程序代碼存儲在非易失性存儲器中。Flash存儲器以其大容量和可在線編程等特點已成為DSP系統(tǒng)的一個基本配置。如何將程序燒寫進(jìn)Flash，并在上電時加載到DSP內(nèi)部的RAM是Flash在DSP系統(tǒng)中應(yīng)用的兩個基本技術(shù)問題。本文以基于TI公司的TMS320VC5509A和Atmel公司的AT49LV1024 Flash開發(fā)的系統(tǒng)為背景，詳細(xì)介紹了系統(tǒng)引導(dǎo)相關(guān)的硬件設(shè)計、燒寫軟件設(shè)計以及自舉引導(dǎo)和二次引導(dǎo)等實現(xiàn)方法。
　　2 TMS320VC5509A的自舉引導(dǎo)
　　2.1 TMS320VC5509A的自舉模式配置
　　
　　TMS320VC5509A每次上電復(fù)位后，在執(zhí)行完一系列初始化（配置堆棧寄存器、關(guān)閉中斷、程序臨時入口、符號擴(kuò)展、兼容性配置）工作后，根據(jù)預(yù)先配置的自舉模式，通過固化在ROM內(nèi)的Bootloader程序進(jìn)行程序引導(dǎo)。VC5509A的引導(dǎo)模式選擇是通過4個模式選擇引腳BOOTM［0：3］配置完成的。 BOOTM0～3引腳分別與GPIO1、2、3、0相連。在本系統(tǒng)設(shè)計中，采用EMIF（外部存儲接口）并行引導(dǎo)模式（16位數(shù)據(jù)寬度），只需將BOOTM［3：0］設(shè)置成1011即可。
　　EMIF為外部存儲接口，通過EMIF接口可以靈活地和各種同步或異步存儲器件無縫連接。通過EMIF可以將VC5509A的存儲空間擴(kuò)展到128 Mbit（SDRAM），存儲空間共被分為CE0～CE3四個段，每段占用不同的地址。在EMIF的并行引導(dǎo)模式中，ROM固化的Bootloader程序是以0x200000為首地址開始加載程序。0x200000即為CE1空間的首地址，所以Flash必須接在DSP的CE1空間上。在加載時。EMIF的CE1空間已經(jīng)默認(rèn)配置成異步靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）接口，并且在時序上采用了最差情況設(shè)置（即最慢訪問速度），充分保證了時間裕量，使得程序代碼順利地加載到DSP的內(nèi)存中。
　　2.2 TMS320VC5509A的引導(dǎo)表
　　Bootloader在引導(dǎo)程序時，程序代碼是以引導(dǎo)表格形式加載的。TMS320VC55x的引導(dǎo)表結(jié)構(gòu)中包括了用戶程序的代碼段和數(shù)據(jù)段以及相應(yīng)段在內(nèi)存中的指定存儲位置，此外還包括了程序人口地址、部分寄存器的配置值、可編程延時時間等信息。TMS320VC55x系列DSP的引導(dǎo)表結(jié)構(gòu)如表1所示。
　　
　　其中，程序入口地址是引導(dǎo)表加載結(jié)束后，用戶程序開始執(zhí)行的地址；寄存器配置數(shù)目決定了后面有多少個寄存器需要配置；只有當(dāng)延時標(biāo)志為0xFFFF時，延時才被執(zhí)行；延時長度決定了在寄存器配置后延時多少個CPU周期才進(jìn)行下一個動作；段長度、段起始地址和數(shù)據(jù)則為用戶程序中定義的各個段的內(nèi)容，并且可以重復(fù)添加；最后以0x00000000（32個0）作為引導(dǎo)表的結(jié)束標(biāo)志。