資料介紹
隨著器件結(jié)構(gòu)與制作工藝的不新創(chuàng)新與完善。硅基發(fā)光器件已經(jīng)可以實現(xiàn)室溫下的有效工作,外量子效率可達到0.1%:低功耗的硅基高速調(diào)制器件的調(diào)制速率達到1GHZ以上;而硅基光探測器對1300mm與1550mm波長的探測響應(yīng)度也已分別達到了0.16mA/W 和0.08mA/W.文章對硅基光電器件的研究進展情況進行了概述,并著重對幾種器件的結(jié)構(gòu)及工作原理進行了分析。
發(fā)光器件
由于硅為間接帶隙半導體,在載流子的復合過程中非輻射復合占絕對優(yōu)勢,因此單晶硅本身不能制成有效的發(fā)光器件’ 然而通過摻雜或引入應(yīng)力的方法,可以改變材料的能帶結(jié)構(gòu),從而為硅基發(fā)光器件提供了實現(xiàn)的可能’ 目前對硅基發(fā)光器件的研究主要集中在可見光和紅外兩個領(lǐng)域( 在可見光領(lǐng)域,一般通過采用多孔硅超晶格、納米硅等結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)硅的能帶結(jié)構(gòu)的改善,而在紅外領(lǐng)域, 等材料受到較多的關(guān)注( 然而從工藝實現(xiàn)的角度來講,這些材料的制備或多或少都不能與現(xiàn)有的成熟微電子工藝兼容,因此為光電器件的單片集成帶來了一定的困難( 而下面介紹的兩種硅基發(fā)光器件利用標準的微電子工藝制作,較好的解決了工藝兼容性問題,從而使得器件的單片集成成為可能。
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