MOCVD太陽(yáng)電池的測(cè)試與數(shù)據(jù)處理及其結(jié)特性參數(shù)介紹

　　液相外延（L PE） 和金屬有機(jī)化合物氣相淀積（M OCVD ） 方法是制作太陽(yáng)電池材料的兩種主要方法。 國(guó)內(nèi)使用L PE 方法時(shí)間較長(zhǎng)，M OCVD 方法才剛起步， 工藝不很完善， 但目前制作的M OCVD 電池的效率已很接近L PE 電池的效率。 增大M OCVD 電池外延層的厚度可以提高電池的效率， 同時(shí)還發(fā)現(xiàn)增大 n 型外延層的厚度能提高電池承受大電流的反向沖擊的能力。 為此， 本文探討了增大 n 型外延層的厚度對(duì)提高電池的效率所起的作用， 同時(shí)說(shuō)明了電池承受大電流的反向沖擊的能力隨 n 型層厚度的增大而增大的原因。 2　實(shí)驗(yàn)方法 2. 1　樣品制備 2. 1. 1　材料本 實(shí)驗(yàn)所用的器件樣品的材料均為 n + 2GaA s （襯底）?n2GaA s （緩沖層）?n2GaA s （摻 Si）?p 2GaA s（摻 Zn）?p 2GaA lA s（摻 Zn）。 多層外延生長(zhǎng)采用L PE 和M OCVD 兩種方法。 襯底的濃度為 2×1018 cm - 3 ， 晶向?yàn)椋?00） ， 厚度為 400Λm. 緩沖層濃度為 2×1017 cm - 3 。 n2GaA s 層濃度為 2×1017 cm - 3 。 p 2GaA s 層濃度為 2×1018 cm - 3 ， 厚度為 017Λm. p 2Ga0. 2A l0. 8 A s 層濃度約為 2×1018 cm - 3 。 n2GaA s 層（包括緩沖層） 及 GaA lA s 的厚度見(jiàn)表 1. 其中樣品 M OCVD 1 和M OCVD 2 無(wú)緩沖層.