高效率反激變換器設(shè)計(jì)隱藏技巧資料下載

變壓器設(shè)計(jì) 高效率反激變換器大部分設(shè)計(jì)技巧隱藏在變壓器里 繞組結(jié)構(gòu)和磁決定變壓（換）器性能是繞組結(jié)構(gòu)在決定運(yùn)行參數(shù) 繞組結(jié)構(gòu)的約束條件： ●窗口約束 原邊副邊窗口分配用銅量大致相等，滿足幾何和能量的大致對(duì)應(yīng)。技巧是分配要合理、線包要基本飽滿。 ●三明治約束 二夾一的意思，是降低漏感的重要措施，技巧是減少EMC結(jié)構(gòu)、安規(guī)結(jié)構(gòu)的不利影響，耦合要緊密。還需注意氣隙對(duì)繞組的影響、磁芯作為導(dǎo)體的影響，輔助繞組的結(jié)構(gòu)和位置。 ●整層約束 是降低漏感最重要的措施，技巧是無(wú)論如何都要整層密繞、少半匝都不行，均繞不行、半層更不行，匝數(shù)太少就雙線或多線并繞、或者用與槽寬等寬的銅箔疊繞。 繞組結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以歸結(jié)為平面幾何問(wèn)題。設(shè)計(jì)目標(biāo)是漏感最小化、氣隙最小化，需要較多的經(jīng)驗(yàn)、技巧、時(shí)間、智慧、精力才能達(dá)成。是反激變換器設(shè)計(jì)的重點(diǎn)，也是高效率反激設(shè)計(jì)的關(guān)鍵所在。 漏感的設(shè)計(jì)標(biāo)桿：1%，否則不能實(shí)現(xiàn)高效率。 繞組結(jié)構(gòu)決定運(yùn)行參數(shù)： ●一個(gè)繞組結(jié)構(gòu)最終與原邊副邊匝數(shù)相對(duì)應(yīng)，其匝比決定反射電壓 ： ●反射電壓決定原邊MOS和副邊二極管電壓應(yīng)力（不含尖峰部分）： ● 有了反射電壓即可算出原邊電流應(yīng)力： ●由此得到原邊電感量： ●基于臨界模式的最大PWM特征周期： ●與之對(duì)應(yīng)的最低特征頻率和最大占空比： 磁參數(shù)優(yōu)化： 磁芯選擇 給出一個(gè)（PC40材質(zhì)的）磁功率應(yīng)力的經(jīng)驗(yàn)公式： ●可由此大致判斷（λ=1）磁芯是否合適。高效率的設(shè)計(jì)要求磁應(yīng)力不能太緊張，也就是變壓器（包括繞組和磁芯）的發(fā)熱不要成為整個(gè)電源最突出的。當(dāng)熱應(yīng)力突出時(shí)，應(yīng)增加磁芯的 Ae.B 或者使用更好的材質(zhì)。 磁芯型號(hào)也有影響，骨架槽寬 B 越大于槽深 H 的偏平窗口由于越容易滿足整層約束而更有利于減少漏感。 磁飽和強(qiáng)度Bs 優(yōu)化方向是Bs值最優(yōu)化，約束條件是磁芯品質(zhì)，可按 Bs（或原邊電感量 Lp）擴(kuò)大20%～30%余量后 Ipk 波形可見(jiàn)臨界飽和跡象為判據(jù)確定Bs取值。更高的Bs取值，對(duì)應(yīng)更小的氣隙、更小的漏感，更小的尖峰電壓、可能更高的整機(jī)效率。但太高的Bs取值會(huì)使上述余量更小、磁芯的品質(zhì)控制困難、成品率降低。 Bs不能靠估計(jì)，要實(shí)測(cè)。Bs有個(gè)最佳值，PC40材質(zhì)，大約為0.3T，偏離這個(gè)最佳值都會(huì)降低效率。 運(yùn)行參數(shù)優(yōu)化： 匝比 Np/Ns，反射電壓 Vr 優(yōu)化方向是匝比和反射電壓最優(yōu)化，約束條件是原邊電壓應(yīng)力（即MOS管耐壓）。更大的匝比對(duì)應(yīng)更高的反射電壓Vr、更小的峰值電流 Ipk、可能更小的漏感、更大的最大占空比 Dmax、更低的副邊電壓應(yīng)力Vs（以便使用最低耐壓的肖特基）。但反射電壓太高會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電壓應(yīng)力及開(kāi)關(guān)損耗增加，抵消以上效應(yīng)，應(yīng)適可而止 原邊匝數(shù)Np 優(yōu)化方向是原邊匝數(shù)最優(yōu)化，約束條件是磁損和開(kāi)關(guān)損耗。更少的原邊匝數(shù)，對(duì)應(yīng)更小的氣隙、更小的漏感絕對(duì)值、更小的尖峰、更小原邊電感量 Lp、更高的特征頻率 Fo、更低的銅損、更大的磁損、更大的開(kāi)關(guān)損耗、可能更高的輸入電壓低端效率、可能更低的輸入電壓高端效率。根據(jù)這些表現(xiàn)，優(yōu)化到佳值。 電路優(yōu)化配合 一個(gè)好的變壓器設(shè)計(jì)出來(lái)以后，需要電路與之配合，才能充分發(fā)揮高效率特性