WinCE系統(tǒng)上大容量NANDFlash驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與優(yōu)化

　　隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展 ，對(duì)大容量低功耗存儲(chǔ)器需求日益增強(qiáng)。 特別是在手持和車載導(dǎo)航領(lǐng)域 ，由于導(dǎo)航地圖往往體積龐大（大于 1 GB） ，因此急需一種與之相應(yīng)的大容量存儲(chǔ)設(shè)備。 NAND Flash 以其低廉的價(jià)格 ，快速的擦寫速度和相對(duì)較小的體積 ，在該領(lǐng)域顯示了極強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。 同時(shí)大容量芯片與小容量在結(jié)構(gòu)上不盡相同 ，這也造成了兩者驅(qū)動(dòng)的差別。 本文在 XScale 硬件平臺(tái)和 WinCE 操作系統(tǒng)上實(shí)現(xiàn)了一種高效、安全、穩(wěn)定的大容量 （2 GB） Nand

　　Flash 驅(qū)動(dòng).1 硬件方案設(shè)計(jì)本文使用 PXA255 處理器 （400 M Hz） 、2 MBNOR Flash （ E28F128 ） 和 64Mbyte SDRAM（ W981216 ） ， NAND Flash 由 兩 片 三 星 公 司K9W8 G08U1M （ 1 GB ） 芯 片 級(jí) 聯(lián) 而 成。 每 塊K9W8 G08U1M 芯片其實(shí)由兩塊 K9 K4 G08U0M（512 Mbyte） 芯片封裝而來 ，它們通過兩根片選（/ CE1和/ CE2） 分別選通［1 ］

　　。 本文采用采用 GPIO 方式控制讀寫和擦除時(shí)序 ，具體的操作由 FMD 層實(shí)現(xiàn)。 AL E（地址鎖存） 、CL E （命令鎖存） 、R/ B （空閑/

　　忙） 和 CE 分別通過 PXA255 的 GPIO 口控制 ，同一時(shí)刻最多只能選中一片。 經(jīng)過軟件控制 ，將四片分立的 512 MB 存儲(chǔ)區(qū)域組成一塊地址連續(xù)的 2 GB 存儲(chǔ)塊。 NAND Flash 的讀寫控制信號(hào)/ RE 和/ WE 由PXA255 內(nèi)存控制器的片選（CS1） 和讀寫信號(hào)（/