基于SST26WF016B / SST26WF016BA下的1.8V 串行四 I/O（SQI）閃存

　　特性

　　? 單電壓讀寫操作

　　– 1.65-1.95V

　　? 串行接口架構

　　– 采用類 SPI 串行命令結構的半字節(jié)寬復用 I/O

　　- 模式 0 和模式 3

　　– x1/x2/x4 串行外設接口（Serial Peripheral Interface，

　　SPI）協(xié)議

　　? 高速時鐘頻率

　　– 最高 104 MHz

　　? 突發(fā)模式

　　– 連續(xù)線性突發(fā)

　　– 8/16/32/64 字節(jié)帶回繞線性突發(fā)

　　? 超高可靠性

　　– 可擦寫次數(shù)：100，000 次（最小值）

　　– 數(shù)據(jù)保存時間大于 100 年

　　? 低功耗：

　　– 讀操作工作電流：15 mA（104 MHz 時的典型值）

　　– 待機電流：8 μA（典型值）

　　? 頁編程

　　– x1 或 x4 模式下每頁 256 字節(jié)

　　? 寫操作結束檢測

　　– 軟件輪詢狀態(tài)寄存器中的 BUSY 位

　　? 靈活的擦除功能

　　– 均一 4 KB 扇區(qū)

　　– 4 個 8 KB 頂部和底部參數(shù)覆蓋塊

　　– 1 個 32 KB 頂部和底部覆蓋塊

　　– 均一 64 KB 覆蓋塊

　　? 寫暫停

　　– 暫停編程或擦除操作以訪問另一個塊 / 扇區(qū)

　　? 軟件復位（RST）模式

　　? 軟件寫保護

　　– 獨立塊鎖定

　　- 64 KB 塊、2 個 32 KB 塊和 8 個 8 KB 參數(shù)塊

　　? 安全 ID

　　– 一次性可編程（One-Time Programmable，OTP）的

　　2 KB 安全 ID

　　- 出廠前預編程的 64 位惟一標識符

　　- 用戶可編程區(qū)域

　　? 溫度范圍

　　– 工業(yè)級：-40°C 至 +85°C

　　? 可用封裝

　　– 8 觸點 WSON（6 mm x 5 mm）

　　– 8 引腳 SOIC（150 mil）

　　– 8 球 XFBGA（Z-Scale?）

　　? 所有器件均符合 RoHS 標準