英飛凌的OpTimoSTM功率MOSFET數(shù)據(jù)表的詳細(xì)解讀方法資料免費(fèi)下載

　　數(shù)據(jù)表是電子工程師理解功率MOSFET器件并充分理解其預(yù)期功能的最重要的工具。由于數(shù)據(jù)表提供的信息量很大，因此有時(shí)會(huì)認(rèn)為它很復(fù)雜，并且很難理解。此外，重要的參數(shù)往往會(huì)被忽略。這可能導(dǎo)致許多問(wèn)題，例如，設(shè)備故障、PCB重新設(shè)計(jì)、項(xiàng)目延遲等。該文檔提供了關(guān)于如何讀取和理解具有所有參數(shù)和圖表的數(shù)據(jù)表的一般指南。

　　本應(yīng)用筆記詳細(xì)描述英飛凌的OpTimoSTM功率MOSFET數(shù)據(jù)表。OptiMOSTM是英飛凌的低電壓（高達(dá)300伏）功率MOSFET產(chǎn)品線的商標(biāo)。本文檔提供了關(guān)于每個(gè)規(guī)范參數(shù)的背景信息以及關(guān)于每個(gè)規(guī)范圖的說(shuō)明。它的目的是幫助設(shè)計(jì)者更好地理解數(shù)據(jù)表。

　　數(shù)據(jù)表中提到的參數(shù)和圖表提供了MOSFET的完整圖像。利用這些信息，設(shè)計(jì)者應(yīng)該能夠理解設(shè)備的預(yù)期操作，確定設(shè)備的操作極限，并且能夠與不同的設(shè)備進(jìn)行定量比較。

　　本文解釋了這些參數(shù)之間的相互作用以及溫度和柵極電壓對(duì)這些參數(shù)的影響。

　　數(shù)據(jù)表可能被認(rèn)為是難以分析的，因?yàn)樗男畔⒘肯喈?dāng)大，格式相當(dāng)緊湊。不是逐行讀取數(shù)據(jù)表，而是建議讀者單獨(dú)查看每個(gè)主題。因此，本節(jié)清楚地將數(shù)據(jù)表劃分為較小的段，以避免引起讀者的混淆。每個(gè)子段呈現(xiàn)單個(gè)數(shù)據(jù)表圖及其相關(guān)參數(shù)。注意：該文檔使用來(lái)自IPP029 N06N數(shù)據(jù)表Rev2.0的圖表和參數(shù)作為示例。對(duì)于英飛凌OpTimoSTM數(shù)據(jù)表的最新版本，請(qǐng)參閱我們的OptiMOSTM（20V - 300 V）網(wǎng)頁(yè)。

　　數(shù)據(jù)表中包括的第一個(gè)圖表是功耗與案例溫度的關(guān)系圖（圖1）。在特定的案例溫度下，最大允許功耗如圖所示。