資料介紹
混頻二極管及其應(yīng)用:混頻二極管是一種肖特基勢壘二極管,它是利用金屬和N型半導(dǎo)體相接觸所形成的金屬?半導(dǎo)體結(jié)的原理而制成的。當(dāng)金屬與半導(dǎo)體相接觸時(shí),它們的交界面處會(huì)形成阻礙電子通過的肖特基勢壘,即表面勢壘。為了使半導(dǎo)體中的載流子容易地越過勢壘進(jìn)入金屬,它必須采用電子逸出功(電子跑出半導(dǎo)體或金屬表面所需的能量)比金屬大得多的N型半導(dǎo)體。當(dāng)二極管加上正向偏壓時(shí),勢壘下降,多數(shù)載流子(電子)便從半導(dǎo)體進(jìn)入金屬?;祛l二極管與一般二極管相比,由于利用多數(shù)載流子工作,沒有少數(shù)載流子儲(chǔ)存效應(yīng),所以具有頻率高、噪聲低和反向電流小等特點(diǎn),主要用于混頻器。
2電特性
2?1正向特性
表1給出日立公司生產(chǎn)的混頻二極管的電性能,共17個(gè)型號(hào),主要用于UHFTV調(diào)諧混頻器、CATV平衡混頻器和調(diào)諧混頻器,外形DO?35個(gè)玻殼封裝,尺寸為4.2mm×?2.0mm,引出線為2個(gè)引腳;DO?34為玻殼封裝,尺寸為2.4mm×?2.0mm,2個(gè)引腳;UMD為微型玻殼封裝,尺寸為2?6mm×?1?6mm,2個(gè)引腳;LLD為無引線玻殼封裝,尺寸為3.5mm×?1.35mm;MPAK(EIAJSC?59)為片狀化封裝,尺寸為2?8mm×1?5mm×1?1mm,引出線為3個(gè)引腳;SRP為片狀化封裝,尺寸為2?6mm×1?6mm×1?1mm,引出線為2個(gè)引腳。HSM88S/SR和HSM88AS/ASR都是由兩個(gè)串聯(lián)的混頻二極管組成,HSM88S與HSM88SR的區(qū)別僅在于引出線的正負(fù)端有所不同,HSM88AS與HSM88ASR的區(qū)別也是如此。HSM88WA/WK由兩個(gè)并聯(lián)的混頻二極管組成,WA與WK的區(qū)別僅在于引出線的正負(fù)端有有不同。從表1中可知,國外混頻二極管在外形上有兩大發(fā)展趨勢,一是尺寸越來越小,如玻殼封裝從DO?35到DO?34再到UMD,二是從軸向有引線向片狀化方向發(fā)展,從DO?35到LLD/MPAK/SRP。
為了敘述方便,這里僅以1SS86/1SS87為例說明。它們的正向特性由圖1所示,當(dāng)正向電流IF為1mA時(shí),1SS86的正向壓降VF≤0.2V,1SS87的VF≤0.45V;當(dāng)IF為10mA時(shí),1SS86的VF=0.4V,1SS87的VF=0.6V。另外,從表1中可知,國外混頻二極管的正向特性越做越好,主要表現(xiàn)在正向特性的一致性更好,有類似于變?nèi)莨艿呐鋵?duì)特性,如在IF=10mA下,1SS165的VF=520mV~600mV±5mV;HSM88S/SR與HSM88AS/ASR的VF分別為520mV~600mV
±10mV和500mV~580mV±10mV,表明VF的偏差只有5mV~10mV。
2電特性
2?1正向特性
表1給出日立公司生產(chǎn)的混頻二極管的電性能,共17個(gè)型號(hào),主要用于UHFTV調(diào)諧混頻器、CATV平衡混頻器和調(diào)諧混頻器,外形DO?35個(gè)玻殼封裝,尺寸為4.2mm×?2.0mm,引出線為2個(gè)引腳;DO?34為玻殼封裝,尺寸為2.4mm×?2.0mm,2個(gè)引腳;UMD為微型玻殼封裝,尺寸為2?6mm×?1?6mm,2個(gè)引腳;LLD為無引線玻殼封裝,尺寸為3.5mm×?1.35mm;MPAK(EIAJSC?59)為片狀化封裝,尺寸為2?8mm×1?5mm×1?1mm,引出線為3個(gè)引腳;SRP為片狀化封裝,尺寸為2?6mm×1?6mm×1?1mm,引出線為2個(gè)引腳。HSM88S/SR和HSM88AS/ASR都是由兩個(gè)串聯(lián)的混頻二極管組成,HSM88S與HSM88SR的區(qū)別僅在于引出線的正負(fù)端有所不同,HSM88AS與HSM88ASR的區(qū)別也是如此。HSM88WA/WK由兩個(gè)并聯(lián)的混頻二極管組成,WA與WK的區(qū)別僅在于引出線的正負(fù)端有有不同。從表1中可知,國外混頻二極管在外形上有兩大發(fā)展趨勢,一是尺寸越來越小,如玻殼封裝從DO?35到DO?34再到UMD,二是從軸向有引線向片狀化方向發(fā)展,從DO?35到LLD/MPAK/SRP。
為了敘述方便,這里僅以1SS86/1SS87為例說明。它們的正向特性由圖1所示,當(dāng)正向電流IF為1mA時(shí),1SS86的正向壓降VF≤0.2V,1SS87的VF≤0.45V;當(dāng)IF為10mA時(shí),1SS86的VF=0.4V,1SS87的VF=0.6V。另外,從表1中可知,國外混頻二極管的正向特性越做越好,主要表現(xiàn)在正向特性的一致性更好,有類似于變?nèi)莨艿呐鋵?duì)特性,如在IF=10mA下,1SS165的VF=520mV~600mV±5mV;HSM88S/SR與HSM88AS/ASR的VF分別為520mV~600mV
±10mV和500mV~580mV±10mV,表明VF的偏差只有5mV~10mV。
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