資料介紹
大學(xué)的時(shí)候看到電路中涉及到MOS管的使用,指定頭大。前幾天偶然看見一篇文檔《MOS管原理,非常詳細(xì)》,對(duì)MOS管的使用總結(jié)的很透徹,所以整理到這里。以下以增強(qiáng)型MOS管為例解釋說明。
1. 三個(gè)極怎么判定
G極(gate)—柵極,不用說比較好認(rèn)
S極(source)—源極,不論是P溝道還是N溝道,兩根線相交的就是
D極(drain)—漏極,不論是P溝道還是N溝道,是單獨(dú)引線的那邊
2. N溝道還是P溝道
箭頭指向G極的是N溝道
箭頭背向G極的是P溝道
3. 寄生二極管方向如何判定
不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的:
要么都由S指向D,要么都有D指向S
4. MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能
1>信號(hào)切換
2>電壓通斷
5. MOS管用作開關(guān)時(shí)在電路中的連接方法
關(guān)鍵點(diǎn):
1>確定那一極連接輸入端,那一極連接輸出端
2>控制極電平為?V 時(shí)MOS管導(dǎo)通
3>控制極電平為?V 時(shí)MOS管截止
NMOS:D極接輸入,S極接輸出
PMOS:S極接輸入,D極接輸出
反證法加強(qiáng)理解
NMOS假如:S接輸入,D接輸出
由于寄生二極管直接導(dǎo)通,因此S極電壓可以無條件到D極,MOS管就失去了開關(guān)的作用
PMOS假如:D接輸入,S接輸出
同樣失去了開關(guān)的作用
6. MOS管的開關(guān)條件
N溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通
P溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通
總之,導(dǎo)通條件:|Ugs|>|Ugs(th)|
7. 相關(guān)概念
BJT
Bipolar Junction Transistor 雙極性晶體管,BJT是電流控制器件;
FET
Field Effect Transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管,F(xiàn)ET是電壓控制器件.
按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)(簡稱JFET)、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)(簡稱MOSFET)兩大類
按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.
按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。
總的來說場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
8. MOS管重要參數(shù)
①封裝
②類型(NMOS、PMOS)
③耐壓Vds(器件在斷開狀態(tài)下漏極和源極所能承受的最大的電壓)
④飽和電流Id
⑤導(dǎo)通阻抗Rds
⑥柵極閾值電壓Vgs(th)
9. 從MOS管實(shí)物識(shí)別管腳
無論是NMOS還是PMOS
按上圖方向擺正,中間的一腳為D,左邊為G,右邊為S。
或者這么記:單獨(dú)的一腳為D,逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。
這里順便提一下三極管的管腳識(shí)別:同樣按照上圖方向擺正,中間一腳為C,左邊為B,右邊為E。
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