常見(jiàn)電磁兼容的問(wèn)題有哪些應(yīng)該應(yīng)該如何解決

　　通訊類(lèi)電子產(chǎn)品不光包括以上三項(xiàng)：RE，CE，ESD，還有Surge--浪涌（雷擊，打雷）醫(yī)療器械最容易出現(xiàn)的問(wèn)題是：ESD- -靜電，EFT--瞬態(tài)脈沖抗干擾，CS--傳導(dǎo)抗干擾，RS--輻射抗干擾。針對(duì)于北方干燥地區(qū)，產(chǎn)品的ESD--靜電要求要很高。針對(duì)于像四川和一些西南多雷地區(qū)，EFT防雷要求要很高。如何提高電子產(chǎn)品的抗干擾能力和電磁兼容性：

　　1、 下面的一些系統(tǒng)要特別注意抗電磁干擾：

　?。?） 微控制器時(shí)鐘頻率特別高，總線(xiàn)周期特別快的系統(tǒng)。

　?。?） 系統(tǒng)含有大功率，大電流驅(qū)動(dòng)電路，如產(chǎn)生火花的繼電器，大電流開(kāi)關(guān)等。

　?。?） 含微弱模擬信號(hào)電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)。

　　2、 為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施：

　　（1） 選用頻率低的微控制器：選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比正弦波多得多。雖然方波的高頻成份的波的幅度，比基波小，但頻率越高越容易發(fā)射出成為噪聲源，微控制器產(chǎn)生的最有影響的高頻噪聲大約是時(shí)鐘頻率的3倍。

　　（2） 減小信號(hào)傳輸中的畸變微控制器主要采用高速CMOS技術(shù)制造。信號(hào)輸入端靜態(tài)輸入電流在1mA左右，輸入電容10PF左右，輸入阻抗相當(dāng)高，高速CMOS電路的輸出端都有相當(dāng)?shù)膸лd能力，即相當(dāng)大的輸出值，將一個(gè)門(mén)的輸出端通過(guò)一段很長(zhǎng)線(xiàn)引到輸入阻抗相當(dāng)高的輸入端，反射問(wèn)題就很?chē)?yán)重，它會(huì)引起信號(hào)畸變，增加系統(tǒng)噪聲。當(dāng)Tpd＞Tr時(shí)，就成了一個(gè)傳輸線(xiàn)問(wèn)題，必須考慮信號(hào)反射，阻抗匹配等問(wèn)題。信號(hào)在印制板上的延遲時(shí)間與引線(xiàn)的特性阻抗有關(guān)，即與印制線(xiàn)路板材料的介電常數(shù)有關(guān)?？梢源致缘卣J(rèn)為，信號(hào)在印制板引線(xiàn)的傳輸速度，約為光速的1/3到1/2之間。微控制器構(gòu)成的系統(tǒng)中常用邏輯電話(huà)元件的Tr（標(biāo)準(zhǔn)延遲時(shí)間）為3到18ns之間。在印制線(xiàn)路板上，信號(hào)通過(guò)一個(gè)7W的電阻和一段25cm長(zhǎng)的引線(xiàn)，線(xiàn)上延遲時(shí)間大致在4~20ns之間。也就是說(shuō)，信號(hào)在印刷線(xiàn)路上的引線(xiàn)越短越好，最長(zhǎng)不宜超過(guò)25cm。而且過(guò)孔數(shù)目也應(yīng)盡量少，最好不多于2個(gè)。當(dāng)信號(hào)的上升時(shí)間快于信號(hào)延遲時(shí)間，就要按照快電子學(xué)處理。此時(shí)要考慮傳輸線(xiàn)的阻抗匹配，對(duì)于一塊印刷線(xiàn)路板上的集成塊之間的信號(hào)傳輸，要避免出現(xiàn)Td＞Trd的情況，印刷線(xiàn)路板越大系統(tǒng)的速度就越不能太快。用以下結(jié)論歸納印刷線(xiàn)路板設(shè)計(jì)的一個(gè)規(guī)則：信號(hào)在印刷板上傳輸，其延遲時(shí)間不應(yīng)大于所用器件的標(biāo)稱(chēng)延遲時(shí)間。

　?。?） 減小信號(hào)線(xiàn)間的交叉干擾： A點(diǎn)一個(gè)上升時(shí)間為T(mén)r的階躍信號(hào)通過(guò)引線(xiàn)AB傳向B端。信號(hào)在AB線(xiàn)上的延遲時(shí)間是Td。在D點(diǎn)，由于A點(diǎn)信號(hào)的向前傳輸，到達(dá)B點(diǎn)后的信號(hào)反射和AB線(xiàn)的延遲，Td時(shí)間以后會(huì)感應(yīng)出一個(gè)寬度為T(mén)r的頁(yè)脈沖信號(hào)。在C點(diǎn)，由于AB上信號(hào)的傳輸與反射，會(huì)感應(yīng)出一個(gè)寬度為信號(hào)在AB線(xiàn)上的延遲時(shí)間的兩倍，即2Td的正脈沖信號(hào)。這就是信號(hào)間的交叉干擾。干擾信號(hào)的強(qiáng)度與C點(diǎn)信號(hào)的di/at有關(guān)，與線(xiàn)間距離有關(guān)。當(dāng)兩信號(hào)線(xiàn)不是很長(zhǎng)時(shí)，AB上看到的實(shí)際是兩個(gè)脈沖的迭加。CMOS工藝制造的微控制由輸入阻抗高，噪聲高，噪聲容限也很高，數(shù)字電路是迭加100~200mv噪聲并不影響其工作。若圖中AB線(xiàn)是一模擬信號(hào)，這種干擾就變?yōu)椴荒苋萑?。如印刷線(xiàn)路板為四層板，其中有一層是大面積的地，或雙面板，信號(hào)線(xiàn)的反面是大面積的地時(shí)，這種信號(hào)間的交叉干擾就會(huì)變小。原因是，大面積的地減小了信號(hào)線(xiàn)的特性阻抗，信號(hào)在D端的反射大為減小。特性阻抗與信號(hào)線(xiàn)到地間的介質(zhì)的介電常數(shù)的平方成反比，與介質(zhì)厚度的自然對(duì)數(shù)成正比。若AB線(xiàn)為一模擬信號(hào)，要避免數(shù)字電路信號(hào)線(xiàn)CD對(duì)AB的干擾，AB線(xiàn)下方要有大面積的地，AB線(xiàn)到CD線(xiàn)的距離要大于AB線(xiàn)與地距離的2~3 倍。可用局部屏蔽地，在有引結(jié)的一面引線(xiàn)左右兩側(cè)布以地線(xiàn)。

　?。?） 減小來(lái)自電源的噪聲電源在向系統(tǒng)提供能源的同時(shí)，也將其噪聲加到所供電的電源上。電路中微控制器的復(fù)位線(xiàn)，中斷線(xiàn)，以及其它一些控制線(xiàn)最容易受外界噪聲的干擾。電網(wǎng)上的強(qiáng)干擾通過(guò)電源進(jìn)入電路，即使電池供電的系統(tǒng)，電池本身也有高頻噪聲。模擬電路中的模擬信號(hào)更經(jīng)受不住來(lái)自電源的干擾。

　?。?） 注意印刷線(xiàn)板與元器件的高頻特性在高頻情況下，印刷線(xiàn)路板上的引線(xiàn)，過(guò)孔，電阻、電容、接插件的分布電感與電容等不可忽略。電容的分布電感不可忽略，電感的分布電容不可忽略。電阻產(chǎn)生對(duì)高頻信號(hào)的反射，引線(xiàn)的分布電容會(huì)起作用，當(dāng)長(zhǎng)度大于噪聲頻率相應(yīng)波長(zhǎng)的1/20時(shí)，就產(chǎn)生天線(xiàn)效應(yīng)，噪聲通過(guò)引線(xiàn)向外發(fā)射。印刷線(xiàn)路板的過(guò)孔大約引起0.6pf的電容。一個(gè)集成電路本身的封裝材料引入2~6pf電容。一個(gè)線(xiàn)路板上的接插件，有520nH的分布電感。一個(gè)雙列直扦的24引腳集成電路扦座，引入4~18nH的分布電感。這些小的分布參數(shù)對(duì)于這行較低頻率下的微控制器系統(tǒng)中是可以忽略不計(jì)的；而對(duì)于高速系統(tǒng)必須予以特別注意。