資料介紹
現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效晶體管)及IGBT(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)已成為大功率元件的主流,在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步,電力電子裝置對(duì) 輕薄短小及高性能之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展,尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換…等領(lǐng)域,使半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下,對(duì) 大功率元件的發(fā)展技術(shù),持續(xù)在突破。 EN—3020C測(cè)試系統(tǒng)是西安易恩電氣科技有限公司推出的功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng),該系統(tǒng)符合國(guó)軍標(biāo)GJB128-86和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 4587-94測(cè)試規(guī)范。 EN-3020C 測(cè)試系統(tǒng)是一款針對(duì)于SI器件,SIC器件中IGBT、MOSFET和二極管的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)。 系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)功率源為3500V/600A。本系統(tǒng)適合各大研究院所做元器件檢驗(yàn),元件進(jìn)廠檢測(cè)篩選以及在線開(kāi)發(fā)器件做生產(chǎn)測(cè)試。系統(tǒng)可擴(kuò)展性強(qiáng),通過(guò)選件可以提高電 壓、電流的測(cè)試能力和增加測(cè)試品種范圍。自動(dòng)快速測(cè)試可以滿足用戶大生產(chǎn)需要,故障率低也保證了用戶的生產(chǎn)效率。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試參數(shù) 即可完成填表編程,操作人員不需具備專業(yè)計(jì)算機(jī)編程語(yǔ)言知識(shí),使用簡(jiǎn)捷方便。
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