資料介紹
三代半導(dǎo)體即寬禁帶半導(dǎo)體,以碳化硅和氮化鎵為代表,具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性 能,切合節(jié)能減排、智能制造、信息安全等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求,是支撐新一代移動(dòng)通信、新能源汽車(chē)、高速軌道列車(chē)、能源互 聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和電子元器件,已成為全球半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。
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