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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>課件下載>等離子體浸沒(méi)式氧離子注入技術(shù)修飾ITO表面的研究

      等離子體浸沒(méi)式氧離子注入技術(shù)修飾ITO表面的研究

      2013-11-28 | pdf | 382KB | 次下載 | 5積分

      資料介紹

      摘要：有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)具有自發(fā)光、低功耗、響應(yīng)快、亮度高、可視角度大等特點(diǎn), 是下一代理想的顯示技術(shù)及面光源. 當(dāng)前OLED 廣泛采用氧化銦錫(ITO)透明陽(yáng)極兼出光窗口, 然而, ITO 表面功函數(shù)與器件內(nèi)層有機(jī)材料最高電子占有軌道(HOMO)之間的勢(shì)壘較高, 器件工作電壓高, 導(dǎo)致能效偏低以及穩(wěn)定性差等問(wèn)題. 射頻等離子體處理ITO 可獲得一定幅度功函數(shù)提高(約0.4 eV), 但仍未達(dá)到與有機(jī)材料最高電子占有軌道匹配程度, 而且, 處理效果時(shí)效性很短, 只有數(shù)小時(shí). 而采用等離子體浸沒(méi)式氧離子注入(PIII)技術(shù)修飾ITO 表面, 可精確控制氧離子注入劑量及深度, 改變ITO 表層氧、銦、錫3 種元素原子比例. 在不改變ITO 薄膜主體透明性及導(dǎo)電性的基礎(chǔ)上, 表面功函數(shù)提高幅度達(dá)0.8 eV, 與主要的OLED 空穴輸運(yùn)有機(jī)材料的HOMO 能級(jí)匹配, 并且, 處理效果經(jīng)過(guò)50 h 后未見(jiàn)明顯衰退跡象。
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