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SoC 用混載內(nèi)存設(shè)計技巧
影像、音響處理用系統(tǒng)LSI(SoC: System on Chip)的功能提升，造成芯片內(nèi)部存儲器
的容量大幅增加，一般認為如果持續(xù)使用傳統(tǒng)SRAM，未來勢必面臨芯片面積大型化與
消費電力暴增等問題。為徹底改善上述問題，研究人員應用內(nèi)建內(nèi)存的優(yōu)點，配合實
際用途積極開發(fā)SoC 用混載內(nèi)存，因此本文要介紹SoC 用混載內(nèi)存的大容量、低消費電力用DTM(Direct Tunneling Memory)、低消費電力非揮發(fā)性內(nèi)存FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)、高速大容量、非揮發(fā)性內(nèi)存MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)的最新技術(shù)動向。
發(fā)展經(jīng)緯
圖 1 是ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor)發(fā)表的藍圖(Roadmap)中，有關(guān)內(nèi)存占SoC 芯片面積的比率統(tǒng)計資料。內(nèi)存的容量隨著用途不同，內(nèi)存的平均使用范圍大約占芯片總面積的一半左右。
影像、音響處理用系統(tǒng)LSI(SoC: System on Chip)的功能提升，造成芯片內(nèi)部存儲器
的容量大幅增加，一般認為如果持續(xù)使用傳統(tǒng)SRAM，未來勢必面臨芯片面積大型化與
消費電力暴增等問題。為徹底改善上述問題，研究人員應用內(nèi)建內(nèi)存的優(yōu)點，配合實
際用途積極開發(fā)SoC 用混載內(nèi)存，因此本文要介紹SoC 用混載內(nèi)存的大容量、低消費電力用DTM(Direct Tunneling Memory)、低消費電力非揮發(fā)性內(nèi)存FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)、高速大容量、非揮發(fā)性內(nèi)存MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)的最新技術(shù)動向。
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圖 1 是ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor)發(fā)表的藍圖(Roadmap)中，有關(guān)內(nèi)存占SoC 芯片面積的比率統(tǒng)計資料。內(nèi)存的容量隨著用途不同，內(nèi)存的平均使用范圍大約占芯片總面積的一半左右。
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