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本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體材料的教程之晶體的詳細(xì)資料概述主要內(nèi)容包括了：一、晶體結(jié)構(gòu)，二、晶面與晶向，三、晶體中的缺陷和雜質(zhì)，四、單晶硅的制備，五、晶圓加工
晶體可分為單晶和多晶，若在整塊材料中，原子都是規(guī)則的、周期性的重復(fù)排列的，一種結(jié)構(gòu)貫穿整體，這樣的晶體稱(chēng)為單晶，如石英單晶，硅單晶，巖鹽單晶等。多晶是由大量微小的單晶隨機(jī)堆砌成的整塊材料。實(shí)際的晶體絕大部分是多晶，如各種金屬材料和電子陶瓷材料。由于多晶中各晶粒排列的相對(duì)取 向各不相同，其宏觀性質(zhì)往往表現(xiàn)為各向同性，外形也不具有規(guī)則性。
半導(dǎo)體材料硅、鍺等都屬金剛石結(jié)構(gòu)。金剛石結(jié)構(gòu)可以看成是沿體對(duì)角線相互錯(cuò)開(kāi)四分之一對(duì)角線長(zhǎng)度的面心立方元胞套構(gòu)而成的。
晶體具有各向異性的特征，在研究晶體的物理特征時(shí)，通常必須標(biāo)明是位于什么方位的面上或沿晶體的什么方向，為此引入晶面與晶向的概念。為了便于確定和區(qū)別晶體中不同方位的晶向和晶面，國(guó)際上通用密勒指數(shù)來(lái)統(tǒng)一標(biāo)定晶向指數(shù)與晶面指數(shù)。
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