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全閃存

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全閃存存儲(chǔ)是以全閃存陣列為基礎(chǔ)的儲(chǔ)存系統(tǒng),是完全由固態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì)構(gòu)成的獨(dú)立的存儲(chǔ)陣列或設(shè)備,與傳統(tǒng)硬盤存儲(chǔ)的主要區(qū)別在于性能更高,處理數(shù)據(jù)更快、更穩(wěn)定。

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全閃存簡(jiǎn)介

  全閃存存儲(chǔ)是以全閃存陣列為基礎(chǔ)的儲(chǔ)存系統(tǒng),是完全由固態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì)構(gòu)成的獨(dú)立的存儲(chǔ)陣列或設(shè)備,與傳統(tǒng)硬盤存儲(chǔ)的主要區(qū)別在于性能更高,處理數(shù)據(jù)更快、更穩(wěn)定。

  閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

  閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,閃存與EEPROM不同的是,EEPROM能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫,而閃存的大部分芯片需要塊擦除。

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