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功率元器件

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功率元器件技術(shù)

IGBT短路耐受時(shí)間的重要性

IGBT短路耐受時(shí)間的重要性

IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時(shí)間(SCWT:Short Circuit Withstand Time)”的電氣特性(參數(shù))。通常,在IGBT等功...

2024-10-08 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率元器件 195 0

什么是IGBT IPM 有什么特點(diǎn)

什么是IGBT IPM 有什么特點(diǎn)

IPM代表“Intelligent Power Module”,它是一種集合了IGBT、MOSFET等分立的功率半導(dǎo)體器件,以及它們的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路...

2024-02-23 標(biāo)簽:IGBTIPM功率元器件 1128 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

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率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢(shì)。

2023-08-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 995 0

測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法

測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...

2023-05-08 標(biāo)簽:MOSFET柵極SiC 937 0

整流橋是如何設(shè)計(jì)選型的

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整流橋作為一種功率元器件,廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來實(shí)現(xiàn) 把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。

2023-04-20 標(biāo)簽:整流橋交流電壓功率元器件 2996 0

探討正電壓浪涌的對(duì)策和其效果

探討正電壓浪涌的對(duì)策和其效果

下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極-源極電壓的行為,該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件(II),即HS(非開關(guān)側(cè))的VGS的正浪涌,正如在上一...

2023-02-28 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率元器件 215 0

何謂碳化硅

何謂碳化硅

表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍(lán)色部分是用于功率元器件時(shí)的重要參數(shù)。如數(shù)值所示,SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢(shì)。另外,與其他新材料不同,它的一大特征是...

2023-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC功率元器件 2916 0

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)

作為Si功率元器件評(píng)估篇的第2波,將開始一系列有關(guān)Si功率元器件通過PSFB電路進(jìn)行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用全...

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET全橋電路功率元器件 4683 0

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路

在上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFETSiC浪涌 1038 0

測(cè)量柵極和源極之間電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...

2022-09-14 標(biāo)簽:散熱器柵極功率元器件 906 0

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功率元器件資訊

羅姆:先進(jìn)的半導(dǎo)體功率元器件助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能

羅姆:先進(jìn)的半導(dǎo)體功率元器件助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能

隨著向無(wú)碳社會(huì)的推進(jìn)以及能源的短缺,全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢瑢?duì)不斷提高能源利用效率并改進(jìn)逆變器技術(shù)(節(jié)能的關(guān)鍵)提出了更高要求。 而功率元器件和模擬I...

2024-07-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變器功率元器件 204 0

先進(jìn)的半導(dǎo)體功率元器件工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能

先進(jìn)的半導(dǎo)體功率元器件工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能

隨著向無(wú)碳社會(huì)的推進(jìn)以及能源的短缺,全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢?,?duì)不斷提高能源利用效率并改進(jìn)逆變器技術(shù)(節(jié)能的關(guān)鍵)提出了更高要求。 而功率元器件和模擬I...

2024-06-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變器功率元器件 205 0

先進(jìn)的半導(dǎo)體功率元器件和模擬IC助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能

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2024-06-03 標(biāo)簽:模擬IC逆變器節(jié)能 270 0

如何降低功率元器件發(fā)生絕緣品質(zhì)異常

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當(dāng)絕緣體內(nèi)存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Airgap)時(shí),在正常工作電壓下氣泡或氣隙容易發(fā)生局部放電(PartialDischarge,PD)...

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國(guó)產(chǎn)碳化硅進(jìn)擊8英寸 8英寸有何優(yōu)勢(shì)

隨著新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的快速發(fā)展,國(guó)內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進(jìn)入商業(yè)化階段。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭對(duì)該產(chǎn)業(yè)表達(dá)了濃厚的興趣,并與國(guó)內(nèi)企業(yè)合作,積極追趕...

2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體碳化硅 1589 0

【大大魚干的類比電源講堂】Infineon IGBT 的死區(qū)計(jì)算

【大大魚干的類比電源講堂】Infineon IGBT 的死區(qū)計(jì)算

在現(xiàn)代工業(yè)的各種應(yīng)用中,經(jīng)常使用帶有功率元器件(MOFET、IGBT……)當(dāng)作輸出的驅(qū)動(dòng)電路,其中最常見、也最容易造成問題的不外乎就是會(huì)上、下交替導(dǎo)通的...

2023-05-31 標(biāo)簽:英飛凌IGBT功率元器件 2509 0

ROHM具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-24 標(biāo)簽:GaN羅姆半導(dǎo)體功率元器件 645 0

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通...

2023-02-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiC功率元器件 565 0

功率元器件智能化,車載IPD性能提升需求上漲

在以前的ECU中,大多數(shù)將繼電器用作驅(qū)動(dòng)電路中的開關(guān)元件,后來這種機(jī)械繼電器開始向半導(dǎo)體開關(guān)轉(zhuǎn)換。并且這一趨勢(shì)迅速席卷了整車各個(gè)應(yīng)用,尤其是在電機(jī)和加熱...

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ROHM Solution Simulator新增熱分析功能

ROHM Solution Simulator新增熱分析功能

近年來,功率元器件在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中發(fā)揮著非常重要的作用。在涉及到大功率和高電壓的應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)過程中,特別是在預(yù)先確保安全性方面,仿真是一種行之有效的方法...

2022-11-09 標(biāo)簽:元器件Rohm功率元器件 654 0

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功率元器件數(shù)據(jù)手冊(cè)

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  • e絡(luò)盟
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    e絡(luò)盟是電子元器件分銷商,授權(quán)經(jīng)銷3500余家半導(dǎo)體、連接器、光電和顯示產(chǎn)品、無(wú)源、電源和機(jī)電產(chǎn)品、軟件等產(chǎn)品,為電子行業(yè)的設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)專員提供服務(wù)。
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    Arrow Electronics 是向工業(yè)和商業(yè)電子元器件和企業(yè)運(yùn)算解決方案用戶提供產(chǎn)品、服務(wù)和解決方案的全球供應(yīng)商,2016 年銷售額達(dá) 23.8 億美元。Arrow 作為供應(yīng)渠道合作伙伴,通過遍布全球 90 多個(gè)國(guó)家和地區(qū)的 465 多個(gè)地點(diǎn)構(gòu)成的全球網(wǎng)絡(luò),為超過 125,000 家原始設(shè)備制造商、合約制造商和商業(yè)客戶提供服務(wù)。
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    科大訊飛股份有限公司(IFLYTEK CO.,LTD.),前身安徽中科大訊飛信息科技有限公司,成立于1999年12月30日,2014年4月18日變更為科大訊飛股份有限公司,專業(yè)從事智能語(yǔ)音及語(yǔ)言技術(shù)研究、軟件及芯片產(chǎn)品開發(fā)、語(yǔ)音信息服務(wù)及電子政務(wù)系統(tǒng)集成。擁有靈犀語(yǔ)音助手,訊飛輸入法等優(yōu)秀產(chǎn)品。
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    iPhone5
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    Nordic
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    Nordic是一家無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司,專長(zhǎng)是開發(fā)短距離無(wú)線技術(shù)和低功耗蜂窩物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。該公司率先推出超低功耗無(wú)線技術(shù),并幫助開發(fā)廣泛采用的低功耗藍(lán)牙(Bluetooth Low Energy)無(wú)線技術(shù)。
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      隨著Vivado 設(shè)計(jì)套件通用版本的發(fā)布,賽靈思還針對(duì)All Programmable 7系列 FPGA和Zynq?-7000 EPP SoC器件推出Vivado高層次綜合(HLS)工具,繼續(xù)延續(xù)其在電子系統(tǒng)級(jí)(ESL)設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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吳尚飛

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