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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體器件
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使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體器件 607 0
基于仿真工具對(duì)100VN TrenchMOSFET器件設(shè)計(jì)研究
溝槽(Trench)MOSFET 是一種新型垂直結(jié)構(gòu)的 MOSFET 器件,是從傳統(tǒng)平面 MOSFET 結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上優(yōu)化發(fā)展而來(lái),Trench MOSFE...
2022-10-08 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻MOSFET器件功率半導(dǎo)體器件 1033 0
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
什么是IGBT? IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是由BJT(Bipolar J...
2021-02-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 1.4萬(wàn) 0
什么是穩(wěn)態(tài)?淺談穩(wěn)態(tài)熱分析的目的
在電子領(lǐng)域,特別是在PCBA領(lǐng)域,熱條件對(duì)于設(shè)備的生命周期,性能和功能至關(guān)重要。環(huán)境條件通常會(huì)影響設(shè)計(jì)人員在PCB上布局其組件的方法。 如此強(qiáng)調(diào)電子領(lǐng)域...
什么是穩(wěn)態(tài)?淺談PCBA設(shè)計(jì)中穩(wěn)態(tài)熱分析的目的
如此強(qiáng)調(diào)電子領(lǐng)域的熱條件,邏輯上必須保證特定類型的熱分析。一種這樣的分析形式稱為穩(wěn)態(tài)熱分析,這是我們將要重點(diǎn)關(guān)注的。
浪涌電流脈沖的幅度和形狀由測(cè)量單元7控制。在浪涌電流脈沖結(jié)束之后,開(kāi)關(guān)10和11由來(lái)自同步電路13的命令閉合。
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
2019-07-02 標(biāo)簽:電力電子器件IGBT功率半導(dǎo)體器件 1.4萬(wàn) 0
本文首先介紹了功率半導(dǎo)體器件分類,其次介紹了大功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展及國(guó)內(nèi)外功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展,最后介紹了功率半導(dǎo)體器件的研究意義。
2018-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件功率半導(dǎo)體器件 1.6萬(wàn) 0
功率半導(dǎo)體的優(yōu)劣勢(shì)分析_功率半導(dǎo)體器件用途
本文介紹了什么是功率半導(dǎo)體器件,對(duì)功率半導(dǎo)體器件分類和功率半導(dǎo)體器件優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了分析,分析了功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢(shì)以及功率半導(dǎo)體器件的基本功能和用途。
2018-01-13 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體器件 1.8萬(wàn) 0
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