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標簽 > 寬禁帶半導體
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寬禁帶半導體材料是指具有較寬的禁帶寬度(Eg>2.3eV)的半導體材料。這類材料具有許多獨特的物理和化學性質(zhì),使其在許多高科技領域具有廣泛的應用。 在現(xiàn)...
氮化鎵(GaN)是一種重要的寬禁帶半導體材料,其結(jié)構具有許多獨特的性質(zhì)和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結(jié)構、制備方法、物理性質(zhì)和應用領域。 結(jié)構: 氮化鎵...
在當今快速發(fā)展的電力電子領域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...
碳化硅晶圓是晶體通過切割,粗磨,精磨,粗拋,精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...
氮化鎵(GaN)技術創(chuàng)新概況 氮化鎵襯底技術是什么
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱為寬禁帶半導體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表,是研制微電...
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 521 0
杭州鎵仁半導體有限公司近日宣布成功完成近億元的Pre-A輪融資,同時與杭州銀行達成重要戰(zhàn)略合作。本輪融資由九智資本領投,普華資本鼎力參與,彰顯了資本市場...
開關損耗更低、效率更高,增速超越SiC,GaN開始進軍光儲、家電市場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導體材料被推出以后,因其優(yōu)秀的特性,迅速在多種電力電子設備中應用。目前來看,GaN已經(jīng)在...
西安電子科技大學馬曉華團隊:蹚出寬禁帶半導體技術創(chuàng)新之路
來源:西安電子科技大學 6月24日,2023年度國家科學技術獎在京揭曉,共評選出250個項目和12名科技專家。其中,國家最高科學技術獎2人,國家自然科學...
2024-07-02 標簽:寬禁帶半導體 289 0
安世半導體斥資2億美元擴產(chǎn)德國基地,聚焦寬禁帶半導體技術
在全球半導體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天,芯片制造商Nexperia(安世半導體)再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日,該公司宣布將投資高達2億美元,用于在德國漢堡...
安世半導體宣布2億美元投資,加速寬禁帶半導體研發(fā)與生產(chǎn)
在全球半導體市場日新月異的今天,荷蘭半導體制造商Nexperia(安世半導體)近日邁出了重大的一步。這家以技術創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布,計劃投資高達...
安世半導體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品(WBG)
半導體制造商Nexperia(安世半導體)近日宣布,計劃投資2億美元(約合1.84億歐元)研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮...
安世半導體受邀參加2024第三代半導體技術與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇
在高頻高壓應用領域,寬禁帶材料不可替代的優(yōu)勢正在加速相關產(chǎn)品的研發(fā)與落地應用。制造技術的進步,也讓其成本更有競爭力。需求拉動疊加成本降低,寬禁帶半導體的...
當今,氣候變化與如何應對持續(xù)增長的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn),而寬禁帶半導體高度契合節(jié)能減排需求,并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻。以碳...
功率電子學在現(xiàn)代科技領域扮演著舉足輕重的角色,尤其是在可再生能源和電動交通領域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求,我們需充分認識并保證寬禁帶...
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