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      標(biāo)簽　>　新潔能

      新潔能

      廠商產(chǎn)品 +關(guān)注 0人關(guān)注

      成立于2013年1月，注冊(cè)資本為14，168萬(wàn)元，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體三家全資子公司以及深圳分公司、寧波分公司。

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      新潔能簡(jiǎn)介

      　　無(wú)錫新潔能股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“公司”）成立于2013年1月，注冊(cè)資本為14，168萬(wàn)元，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體三家全資子公司以及深圳分公司、寧波分公司。

      　　目前公司員工總共300余人，其中研發(fā)人員80余人。公司成立以來(lái)即專注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷售，產(chǎn)品優(yōu)質(zhì)且系列齊全，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域；未來(lái)隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、智能電網(wǎng)、無(wú)人駕駛等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，公司產(chǎn)品將在該等新興領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

      　　公司的主營(yíng)業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷售，公司銷售的產(chǎn)品按照是否封裝可以分為芯片和封裝成品。公司是專業(yè)化垂直分工廠商，芯片由公司設(shè)計(jì)方案后交由芯片代工企業(yè)進(jìn)行代工生產(chǎn)，封裝成品由公司委托外部封裝測(cè)試企業(yè)對(duì)芯片進(jìn)行封裝測(cè)試而成。

      　　公司為國(guó)內(nèi)MOSFET等半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)，2016年以來(lái)連續(xù)五年名列“中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”。公司已建立江蘇省功率器件工程技術(shù)研究中心、江蘇省企業(yè)研究生工作站、東南大學(xué)-無(wú)錫新潔能功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、江南大學(xué)-無(wú)錫新潔能功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心。公司參與的“智能功率驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)及制備的關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”項(xiàng)目獲得了2019年度江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)，且獲得2020年度國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)。截至目前，公司擁有135項(xiàng)專利，其中發(fā)明專利36項(xiàng)；同時(shí)公司參與在IEEE，TDMR等國(guó)際知名期刊中發(fā)表論文13篇，其中SCI收錄論文7篇。2021年6月，公司榮列“福布斯2021中國(guó)最具創(chuàng)新力企業(yè)榜TOP50”。

      　　無(wú)錫電基集成科技有限公司位于無(wú)錫市新吳區(qū)電騰路6號(hào)，于2017年03月21日成立，是無(wú)錫新潔能股份有限公司的全資子公司。公司注冊(cè)資本27000萬(wàn)元，占地15272平方米，建筑面積為21467平方米，目前封裝測(cè)試車間面積為8000平米，主要封裝形式為SOT、TO系列、DFN產(chǎn)品封裝。公司專注于高性能、高可靠性功率半導(dǎo)體分立器件和多芯片電源管理器件的封裝和測(cè)試，主營(yíng)業(yè)務(wù)為電力電子元器件、集成電路及半導(dǎo)體模塊產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造和銷售。公司具有當(dāng)前世界先進(jìn)水平的半導(dǎo)體器件封裝和測(cè)試生產(chǎn)線，主力設(shè)備全部從美國(guó)、日本、新加坡等國(guó)進(jìn)口，自動(dòng)化程度高，保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性，為現(xiàn)代化大生產(chǎn)提供了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

      　　公司基于全球半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)理論技術(shù)開(kāi)發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品，是國(guó)內(nèi)率先掌握超結(jié)理論技術(shù)，并量產(chǎn)屏蔽柵功率MOSFET及超結(jié)功率MOSFET的企業(yè)之一，是國(guó)內(nèi)最早在12英寸工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)溝槽型MOSFET、屏蔽柵MOSFET量產(chǎn)的企業(yè)，也是國(guó)內(nèi)MOSFET品類最齊全且產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先的公司。同時(shí)，公司是國(guó)內(nèi)最早同時(shí)擁有溝槽型功率MOSFET、超結(jié)功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產(chǎn)品平臺(tái)的本土企業(yè)之一，產(chǎn)品電壓已經(jīng)覆蓋了12V~1700V的全系列產(chǎn)品、達(dá)1500余種，為國(guó)內(nèi)MOSFET等功率器件市場(chǎng)占有率排名前列的本土企業(yè)。

      　　公司將進(jìn)一步依托技術(shù)、品牌、渠道等綜合優(yōu)勢(shì)，結(jié)合大尺寸晶圓芯片（8英寸、12英寸）先進(jìn)工藝技術(shù)，開(kāi)拓國(guó)際先進(jìn)功率器件封裝制造技術(shù)，全力推進(jìn)高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，持續(xù)布局半導(dǎo)體功率器件最先進(jìn)的技術(shù)領(lǐng)域，并投入對(duì)SiC/GaN寬禁帶半導(dǎo)體、智能功率器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，提升公司核心產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)地位。

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      新潔能數(shù)據(jù)手冊(cè)

      型號(hào) 描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) 參考價(jià)格
      NCE65T360D 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):650V;連續(xù)漏極電流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,7A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):19nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向傳輸電容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj);
      NCEP055N85D 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-;
      NCEP033N85D 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):85V;連續(xù)漏極電流(Id):160A;功率(Pd):220W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.95mΩ@10V,80A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):115nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):7.2nF@40V;反向傳輸電容(Crss@Vds):24pF@40V;工作溫度:-55℃~+175℃@(Tj);
      NCEP050N85D
      NCE70T360D 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):700V;連續(xù)漏極電流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):330mΩ@10V,7A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):19nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向傳輸電容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj);

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