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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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線性電源與開關(guān)電源是兩種常見的電源類型,它們在工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在顯著差異。 一、線性電源 1. 定義與工作原理 線性電源(Linea...
2024-10-21 標(biāo)簽:集成電路開關(guān)電源晶體管 86 0
電機(jī)控制器是用于控制電機(jī)運(yùn)行的設(shè)備,其主要功能是將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能,同時(shí)根據(jù)需要調(diào)節(jié)電機(jī)的速度、轉(zhuǎn)矩和方向。電機(jī)控制器的原理主要基于電力電子技術(shù)、自動(dòng)控...
在電子電路中,晶體管是一種基本的放大或開關(guān)元件。雙極型晶體管(BJT)是其中一種常見的類型,它由兩個(gè)PN結(jié)組成,分為NPN和PNP兩種類型。 1. 結(jié)構(gòu)...
NPN晶體管是一種雙極型晶體管,它由兩個(gè)N型半導(dǎo)體層和一個(gè)P型半導(dǎo)體層組成。在NPN晶體管中,電流的流動(dòng)方向是從發(fā)射極(Emitter)到基極(Base...
本文旨在剖析這個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心要素,從最基本的晶體結(jié)構(gòu)開始,逐步深入到半導(dǎo)體在集成電路中的應(yīng)用。
PWM(Pulse Width Modulation,脈寬調(diào)制)死區(qū)是一個(gè)在PWM控制系統(tǒng)中至關(guān)重要的概念,特別是在涉及電力電子設(shè)備和電機(jī)控制的應(yīng)用中。...
2024-10-16 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)PWM晶體管 294 0
RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢
因?yàn)镮GBT大部分應(yīng)用場景都是感性負(fù)載,在IGBT關(guān)斷的時(shí)候,感性負(fù)載會(huì)產(chǎn)生很大的反向電流,IGBT不能反向?qū)?,需要在IGBT的兩端并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二...
在電力電子技術(shù)的快速中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)技術(shù)以其高效、可靠的性能,成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件,每一個(gè)...
晶體管溫度傳感器是一種利用半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)隨溫度變化而變化的特性來測量溫度的傳感器。它們通常由一個(gè)或多個(gè)晶體管構(gòu)成,這些晶體管的基極-發(fā)射極電壓(V...
晶體管和二極管都是半導(dǎo)體器件,但它們在結(jié)構(gòu)、功能和應(yīng)用方面存在明顯的區(qū)別。以下是對(duì)這兩者的比較: 一、結(jié)構(gòu)區(qū)別 二極管 二極管是一種兩端器件,具有正極(...
微型晶體管的制造過程 1. 硅晶圓的制備 微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過程包...
2024-10-15 標(biāo)簽:晶圓晶體管半導(dǎo)體制造 92 0
使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點(diǎn)和范例
引言:雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動(dòng),因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動(dòng)所破壞,使得并聯(lián)連接均衡變得困難。而功率MOS是由電壓驅(qū)動(dòng)的,因此只需...
射極跟隨器作為電子電路中的重要組成部分,其穩(wěn)定性和可靠性對(duì)于整個(gè)電路的性能至關(guān)重要。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,射極跟隨器可能會(huì)遇到各種故障,這些故障可能源于電...
2024-10-15 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體管射極跟隨器 122 0
射極跟隨器(Emitter Follower),又稱共射極電路或電壓跟隨器,是一種基本的電子放大器電路,廣泛應(yīng)用于電子工程領(lǐng)域。它由晶體管或真空管構(gòu)成,...
基本放大電路是電子電路中至關(guān)重要的組成部分,它能夠?qū)⑤斎胄盘?hào)放大到所需的電平,以便后續(xù)電路進(jìn)行處理。在電子工程中,基本放大電路主要有三種形式,分別是共發(fā)...
基本放大電路是電子學(xué)中的一個(gè)核心概念,它涉及到將輸入信號(hào)放大到更高功率級(jí)別的過程。放大電路可以是模擬的,也可以是數(shù)字的,但在這里,我們將專注于模擬放大電...
DRAM(Dynamic Random Access Memory)即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)。它由許多存儲(chǔ)單...
合科泰數(shù)字三極管DTC144EE的應(yīng)用領(lǐng)域
數(shù)字三極管也叫偏壓型晶體管,它是一種內(nèi)部集成了電阻的三極管,內(nèi)部自帶電阻,常用來做電子開關(guān),和同反相器功能相同。具有集成度高,省掉了外圍電阻的組裝,非常...
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。其工作環(huán)境溫度范圍通常在-40℃至85℃之間,這是大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)M...
數(shù)據(jù)中心作為現(xiàn)代信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)設(shè)施,承載著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、處理和傳輸?shù)闹匾蝿?wù)。在這些任務(wù)中,MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為關(guān)鍵的電子元件,...
2024-10-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管數(shù)據(jù)中心 158 0
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