硅晶片

2024-03-12 標(biāo)簽：晶圓晶體管芯片制造 459 0

碳化硅晶片生產(chǎn)工藝流程

采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積等特點。

2023-09-27 標(biāo)簽：SiC電磁感應(yīng)硅晶片 5860 0

硅晶片的酸基蝕刻：傳質(zhì)和動力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過...

2023-05-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓硅晶片 853 0

濕清洗過程中硅晶片表面顆粒去除

在整個晶圓加工過程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用...

2023-03-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2241 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制的研究

薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進(jìn)更薄的包裝中。與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。

2022-08-26 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 2801 0

硅片透蝕MACE化學(xué)鍍金工藝優(yōu)化方案

硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚...

2022-07-14 標(biāo)簽：晶圓蝕刻硅晶片 1220 0

KOH硅濕法蝕刻工藝詳解

引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是...

2022-07-14 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 3934 0

硅晶片的清洗技術(shù)

摘要 隨著越來越高的VLSIs集成度成為商業(yè)實踐，對高質(zhì)量晶片的需求越來越大。對于表面上幾乎沒有金屬雜質(zhì)、顆粒和有機(jī)物的高度潔凈的晶片來說，尤其如此。為...

2022-07-11 標(biāo)簽：硅晶片清洗作業(yè) 1358 0

硅晶片清洗方式的詳細(xì)說明

半導(dǎo)體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見的是，硅晶片僅僅因為暴露在空氣中而被污染，空氣中含有高度的有機(jī)顆粒污染物。由于強(qiáng)大的靜電力，這些...

2022-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造業(yè)硅晶片 4188 0

硅晶片清洗：半導(dǎo)體制造過程中的一個基本和關(guān)鍵步驟

引言 半導(dǎo)體是一種導(dǎo)電率介于絕緣體和導(dǎo)體之間的固體物質(zhì)。半導(dǎo)體材料的定義屬性是它可以摻雜雜質(zhì)，以可控的方式改變其電子屬性。硅是開發(fā)微電子器件時最常用的半...

2024-04-08 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體硅晶片 1404 0

半導(dǎo)體芯片材料工藝和先進(jìn)封裝

wafer--晶圓wafer即為圖片所示的晶圓，由純硅（Si）構(gòu)成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規(guī)格不等，晶片就是基于這個wafer上生產(chǎn)出來的。晶...

2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片材料硅晶片 1392 0

季豐電子新引入精密芯片裂片設(shè)備SELA—MC10

SELA是通過刻痕和斷裂的雙重過程制備樣品，獲得高質(zhì)量截面。

2023-09-21 標(biāo)簽：硅晶片SDO季豐電子 1445 0