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第三代半導(dǎo)體

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第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段。

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第三代半導(dǎo)體簡(jiǎn)介

　　半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段：

　　第一代材料是硅，以硅（Si）和鍺（Ge ）為代表，就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。

　　第二代材料是以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（ GaP ）為代表，目前的大部分通信設(shè)備的材料。

　　第三點(diǎn)材料以氮化鎵（ GaN）、碳化硅（ SiC）、金剛石為代表，未來(lái)5G時(shí)代的標(biāo)配。

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第三代半導(dǎo)體知識(shí)

第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體區(qū)別

半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì)，是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的

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第三代半導(dǎo)體技術(shù)

第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體區(qū)別

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特斯拉線圈

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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
VHF

VHF

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逆變器電路圖

逆變器電路圖

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VDD

VDD

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
慕尼黑上海電子展

慕尼黑上海電子展

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測(cè)試電路

測(cè)試電路

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AIoT

AIoT

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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
HarmonyOS

HarmonyOS

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HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)?lái)HarmonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開(kāi)源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動(dòng)態(tài)分析等。
功放板

功放板

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ELMOS

ELMOS

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功放制作

功放制作

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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡(jiǎn)稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
科創(chuàng)板

科創(chuàng)板

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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。

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