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標(biāo)簽 > 芯耀輝
芯耀輝科技于2020年6月在珠海成立,是一家致力于先進(jìn)半導(dǎo)體IP研發(fā)和服務(wù)、賦能芯片設(shè)計(jì)和系統(tǒng)應(yīng)用的高科技公司,通過自主研發(fā)先進(jìn)工藝芯片IP產(chǎn)品,以響應(yīng)中國(guó)快速發(fā)展的芯片和應(yīng)用需求,全面賦能芯片設(shè)計(jì)。
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芯耀輝DDR PHY訓(xùn)練技術(shù)簡(jiǎn)介
DDR接口速率越來越高,每一代產(chǎn)品都在挑戰(zhàn)工藝的極限,對(duì)DDR PHY的訓(xùn)練要求也越來越嚴(yán)格。本文從新銳IP企業(yè)芯耀輝的角度,談?wù)凞DR PHY訓(xùn)練所面...
引言 近年,隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的持續(xù)發(fā)展,大量手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、高性能計(jì)算等領(lǐng)域所應(yīng)用的專業(yè)芯片陸續(xù)采用FinFET先進(jìn)工藝來實(shí)現(xiàn),以滿足高性能設(shè)...
芯耀輝軟硬結(jié)合的智能DDR PHY訓(xùn)練技術(shù)
在實(shí)際的應(yīng)用中,命令(command)路徑上的延時(shí)會(huì)超過數(shù)據(jù)(DQ)路徑的延時(shí)。假設(shè)路徑差值 = 命令路徑延時(shí) – 數(shù)據(jù)路徑延時(shí),一般路徑差值在0~5個(gè)...
IP新銳芯耀輝多點(diǎn)破局DDR PHY技術(shù)瓶頸
DDR PHY是DRAM和內(nèi)存控制器通信的橋梁,它負(fù)責(zé)把內(nèi)存控制器發(fā)過來的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成符合DDR協(xié)議的信號(hào),并發(fā)送到DRAM。
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