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標(biāo)簽 > DRAM
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳復(fù)用來(lái)組成的。
3管動(dòng)態(tài)RAM的工作原理3管動(dòng)態(tài)RAM的基本存儲(chǔ)電路。在這個(gè)電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開(kāi)的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開(kāi)的。
寫操作時(shí),寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過(guò)Q1送到Q2的柵極,并通過(guò)柵極電容在一定時(shí)間內(nèi)保持信息。
讀操作時(shí),先通過(guò)公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時(shí),Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來(lái)存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過(guò)Q3、Q2放電,此時(shí)讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因?yàn)镼2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見(jiàn),對(duì)這樣的存儲(chǔ)電路,讀得的信息和原來(lái)存入的信息正好相反,所以要通過(guò)讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳復(fù)用來(lái)組成的。
3管動(dòng)態(tài)RAM的工作原理3管動(dòng)態(tài)RAM的基本存儲(chǔ)電路。在這個(gè)電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開(kāi)的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開(kāi)的。
寫操作時(shí),寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過(guò)Q1送到Q2的柵極,并通過(guò)柵極電容在一定時(shí)間內(nèi)保持信息。
讀操作時(shí),先通過(guò)公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時(shí),Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來(lái)存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過(guò)Q3、Q2放電,此時(shí)讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因?yàn)镼2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”??梢?jiàn),對(duì)這樣的存儲(chǔ)電路,讀得的信息和原來(lái)存入的信息正好相反,所以要通過(guò)讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。
DRAM(Dynamic Random Access Memory)即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)。它由許多存儲(chǔ)單...
物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中HyperRAM的使用優(yōu)勢(shì)
根據(jù)Ericsson在2020年6月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)報(bào)告指出,包括NB-IoT和Cat-M在內(nèi)的大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng) (Massive IoT) 將持續(xù)部署到...
2024-10-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM物聯(lián)網(wǎng) 162 0
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static Random Access Memory,簡(jiǎn)稱SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Me...
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的定義和工作原理
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,簡(jiǎn)稱DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,它利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表二進(jìn)制數(shù)據(jù)中...
2024-09-26 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 478 0
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔而...
2024-09-10 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 461 0
存儲(chǔ)器的刷新是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)維護(hù)所存信息的一種重要機(jī)制。由于DRAM利用存儲(chǔ)元中的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)電荷,而電容本身存在漏電流,導(dǎo)致電荷會(huì)逐...
DRAM的分類、特點(diǎn)及技術(shù)指標(biāo)
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中廣泛使用的內(nèi)存類型之一。它以其高速、大容量和相...
DRAM從20世紀(jì)70年代初到90年代初生產(chǎn),接口都是異步的,其中輸入控制信號(hào)直接影響內(nèi)部功能。
2024-07-29 標(biāo)簽:DRAMSDRAM內(nèi)存控制器 442 0
今天我們來(lái)聊聊在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域中非常關(guān)鍵的技術(shù)——DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理。
2024-07-26 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 1215 0
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2024-04-24 標(biāo)簽:DRAMcpuusb
存儲(chǔ)系統(tǒng)——緩存.DRAM.磁盤立即下載
類別:電子教材 2023-05-26 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)
現(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)器AL422數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-09-17 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器AL422
基于NVM和DRAN的混合內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案立即下載
類別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2021-06-24 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存NVM
DRAM:產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)變化孕育中國(guó)玩家進(jìn)場(chǎng)良機(jī)立即下載
類別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2021-03-17 標(biāo)簽:DRAM服務(wù)器
類別:電子資料 2020-12-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DRAM
三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM
近日,存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破:成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平,更在速度上實(shí)現(xiàn)了...
預(yù)計(jì)第四季度DRAM市場(chǎng)僅HBM價(jià)格上漲
據(jù)市場(chǎng)研究公司TrendForce預(yù)測(cè),2024年第四季度DRAM市場(chǎng)將呈現(xiàn)出一絲暖意,但僅限于高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)領(lǐng)域。預(yù)計(jì)HBM價(jià)格將實(shí)現(xiàn)環(huán)比上漲...
近期,DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊,導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,...
北京君正首顆 21nm DRAM下半年推出,三大存儲(chǔ)類芯片持續(xù)研發(fā),待行業(yè)市場(chǎng)復(fù)蘇
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)2024年上半年,北京君正實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 210,684.96萬(wàn)元,同比下降5.15%,實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn) 19...
長(zhǎng)鑫迅速擴(kuò)產(chǎn) 引發(fā)韓國(guó)業(yè)界及媒體關(guān)注
來(lái)源:銳芯聞 據(jù)韓國(guó)媒體 ZDNet Korea 報(bào)道,CXMT(長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技)等中國(guó)內(nèi)存制造商正在積極擴(kuò)大生產(chǎn),可能會(huì)對(duì)DRAM市場(chǎng)的盈利產(chǎn)生影響。據(jù)...
繼HBM上車之后,移動(dòng)HBM有望用在手機(jī)上
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)據(jù)韓媒報(bào)道,三星和海力士正在開(kāi)發(fā)低功耗DRAM堆疊技術(shù),以用于移動(dòng)設(shè)備上,這類DRAM被稱之為移動(dòng)HBM存儲(chǔ)器,并計(jì)劃20...
SK海力士開(kāi)發(fā)出第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM
SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功開(kāi)發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(jí)(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在...
今日看點(diǎn)丨小米“無(wú)按鍵”旗艦手機(jī)被曝 2025 年亮相;SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM
1. 美光將在臺(tái)灣購(gòu)買更多生產(chǎn)工廠以擴(kuò)大HBM 內(nèi)存生產(chǎn)規(guī)模 ? 美光(Micron)公司正在臺(tái)灣尋找新的生產(chǎn)設(shè)施。美光已同意從顯示器制造商友達(dá)光電(A...
來(lái)源:滿天芯 編輯:感知芯視界 Link 近日,英飛凌表示,已與奇夢(mèng)達(dá)股份公司破產(chǎn)管理人達(dá)成和解,同意支付 7.535 億歐元(8.3721 億美元),...
應(yīng)用材料財(cái)報(bào)亮眼,營(yíng)收反超ASML成半導(dǎo)體設(shè)備龍頭
近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商應(yīng)用材料公司發(fā)布了其2024年第三季度(截止至7月28日)的財(cái)務(wù)報(bào)告,數(shù)據(jù)顯示該季度公司營(yíng)收實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)健增長(zhǎng),同比增長(zhǎng)5%...
2024-08-21 標(biāo)簽:DRAM應(yīng)用材料半導(dǎo)體設(shè)備 675 0
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