0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

標(biāo)簽 > DRAM

DRAM

+關(guān)注 0人關(guān)注

DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

文章: 2217 個(gè)
視頻: 16 個(gè)
瀏覽: 183115
帖子: 82 個(gè)

DRAM簡(jiǎn)介

  DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

  工作原理

  動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳復(fù)用來(lái)組成的。

  3管動(dòng)態(tài)RAM的工作原理3管動(dòng)態(tài)RAM的基本存儲(chǔ)電路。在這個(gè)電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開(kāi)的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開(kāi)的。

  寫操作時(shí),寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過(guò)Q1送到Q2的柵極,并通過(guò)柵極電容在一定時(shí)間內(nèi)保持信息。

  讀操作時(shí),先通過(guò)公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時(shí),Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來(lái)存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過(guò)Q3、Q2放電,此時(shí)讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因?yàn)镼2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見(jiàn),對(duì)這樣的存儲(chǔ)電路,讀得的信息和原來(lái)存入的信息正好相反,所以要通過(guò)讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。

DRAM百科

  DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

  工作原理

  動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳復(fù)用來(lái)組成的。

  3管動(dòng)態(tài)RAM的工作原理3管動(dòng)態(tài)RAM的基本存儲(chǔ)電路。在這個(gè)電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開(kāi)的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開(kāi)的。

  寫操作時(shí),寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過(guò)Q1送到Q2的柵極,并通過(guò)柵極電容在一定時(shí)間內(nèi)保持信息。

  讀操作時(shí),先通過(guò)公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時(shí),Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來(lái)存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過(guò)Q3、Q2放電,此時(shí)讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因?yàn)镼2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”??梢?jiàn),對(duì)這樣的存儲(chǔ)電路,讀得的信息和原來(lái)存入的信息正好相反,所以要通過(guò)讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。

查看詳情

dram知識(shí)

展開(kāi)查看更多

dram技術(shù)

DRAM存儲(chǔ)器的特性有哪些

DRAM(Dynamic Random Access Memory)即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)。它由許多存儲(chǔ)單...

2024-10-12 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器晶體管 203 0

物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中HyperRAM的使用優(yōu)勢(shì)

物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中HyperRAM的使用優(yōu)勢(shì)

根據(jù)Ericsson在2020年6月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)報(bào)告指出,包括NB-IoT和Cat-M在內(nèi)的大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng) (Massive IoT) 將持續(xù)部署到...

2024-10-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM物聯(lián)網(wǎng) 162 0

SRAM和DRAM有什么區(qū)別

靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static Random Access Memory,簡(jiǎn)稱SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Me...

2024-09-26 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器sram 621 0

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的定義和工作原理

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的定義和工作原理

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,簡(jiǎn)稱DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,它利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表二進(jìn)制數(shù)據(jù)中...

2024-09-26 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 478 0

DRAM存儲(chǔ)器的基本單元

DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔而...

2024-09-10 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 461 0

什么是存儲(chǔ)器的刷新

存儲(chǔ)器的刷新是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)維護(hù)所存信息的一種重要機(jī)制。由于DRAM利用存儲(chǔ)元中的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)電荷,而電容本身存在漏電流,導(dǎo)致電荷會(huì)逐...

2024-09-10 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器cpu 356 0

DRAM的分類、特點(diǎn)及技術(shù)指標(biāo)

DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中廣泛使用的內(nèi)存類型之一。它以其高速、大容量和相...

2024-08-20 標(biāo)簽:DRAMSDRAM存儲(chǔ)器 1509 0

DRAM靈敏放大器的工作原理

DRAM靈敏放大器的工作原理

DRAM 靈敏放大器是由兩個(gè)交叉耦合的CMOS反相器組成的簡(jiǎn)單電路,因此它是一個(gè)SRAM單元。

2024-07-30 標(biāo)簽:放大器DRAM晶體管 507 0

同步DRAM(SDRAM)介紹

同步DRAM(SDRAM)介紹

DRAM從20世紀(jì)70年代初到90年代初生產(chǎn),接口都是異步的,其中輸入控制信號(hào)直接影響內(nèi)部功能。

2024-07-29 標(biāo)簽:DRAMSDRAM內(nèi)存控制器 442 0

DRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

DRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

今天我們來(lái)聊聊在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域中非常關(guān)鍵的技術(shù)——DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理。

2024-07-26 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 1215 0

查看更多>>

dram資料下載

查看更多>>

dram資訊

三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM

近日,存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破:成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平,更在速度上實(shí)現(xiàn)了...

2024-10-18 標(biāo)簽:DRAM三星電子存儲(chǔ)芯片 639 0

預(yù)計(jì)第四季度DRAM市場(chǎng)僅HBM價(jià)格上漲

據(jù)市場(chǎng)研究公司TrendForce預(yù)測(cè),2024年第四季度DRAM市場(chǎng)將呈現(xiàn)出一絲暖意,但僅限于高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)領(lǐng)域。預(yù)計(jì)HBM價(jià)格將實(shí)現(xiàn)環(huán)比上漲...

2024-10-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM三星電子 243 0

DRAM與NAND閃存價(jià)格大幅下跌

近期,DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊,導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,...

2024-10-09 標(biāo)簽:閃存DRAMNAND 373 0

北京君正首顆 21nm DRAM下半年推出,三大存儲(chǔ)類芯片持續(xù)研發(fā),待行業(yè)市場(chǎng)復(fù)蘇

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)2024年上半年,北京君正實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 210,684.96萬(wàn)元,同比下降5.15%,實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn) 19...

2024-09-19 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)存儲(chǔ)芯片 2699 0

長(zhǎng)鑫迅速擴(kuò)產(chǎn) 引發(fā)韓國(guó)業(yè)界及媒體關(guān)注

來(lái)源:銳芯聞 據(jù)韓國(guó)媒體 ZDNet Korea 報(bào)道,CXMT(長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技)等中國(guó)內(nèi)存制造商正在積極擴(kuò)大生產(chǎn),可能會(huì)對(duì)DRAM市場(chǎng)的盈利產(chǎn)生影響。據(jù)...

2024-09-11 標(biāo)簽:DRAM長(zhǎng)鑫 263 0

繼HBM上車之后,移動(dòng)HBM有望用在手機(jī)上

繼HBM上車之后,移動(dòng)HBM有望用在手機(jī)上

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)據(jù)韓媒報(bào)道,三星和海力士正在開(kāi)發(fā)低功耗DRAM堆疊技術(shù),以用于移動(dòng)設(shè)備上,這類DRAM被稱之為移動(dòng)HBM存儲(chǔ)器,并計(jì)劃20...

2024-09-06 標(biāo)簽:DRAMHBM 2903 0

SK海力士開(kāi)發(fā)出第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功開(kāi)發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(jí)(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在...

2024-08-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAMSK海力士 556 0

今日看點(diǎn)丨小米“無(wú)按鍵”旗艦手機(jī)被曝 2025 年亮相;SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

1. 美光將在臺(tái)灣購(gòu)買更多生產(chǎn)工廠以擴(kuò)大HBM 內(nèi)存生產(chǎn)規(guī)模 ? 美光(Micron)公司正在臺(tái)灣尋找新的生產(chǎn)設(shè)施。美光已同意從顯示器制造商友達(dá)光電(A...

2024-08-29 標(biāo)簽:DRAM海力士小米 889 0

英飛凌將支付8億賠款!

來(lái)源:滿天芯 編輯:感知芯視界 Link 近日,英飛凌表示,已與奇夢(mèng)達(dá)股份公司破產(chǎn)管理人達(dá)成和解,同意支付 7.535 億歐元(8.3721 億美元),...

2024-08-28 標(biāo)簽:英飛凌DRAM內(nèi)存 164 0

應(yīng)用材料財(cái)報(bào)亮眼,營(yíng)收反超ASML成半導(dǎo)體設(shè)備龍頭

近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商應(yīng)用材料公司發(fā)布了其2024年第三季度(截止至7月28日)的財(cái)務(wù)報(bào)告,數(shù)據(jù)顯示該季度公司營(yíng)收實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)健增長(zhǎng),同比增長(zhǎng)5%...

2024-08-21 標(biāo)簽:DRAM應(yīng)用材料半導(dǎo)體設(shè)備 675 0

查看更多>>

dram數(shù)據(jù)手冊(cè)

相關(guān)標(biāo)簽

相關(guān)話題

換一批
  • 貿(mào)澤電子
    貿(mào)澤電子
    +關(guān)注
    貿(mào)澤電子是一家全球知名的半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商,分銷1100多家品牌制造商的產(chǎn)品。貿(mào)澤電子專注于快速引入新產(chǎn)品和新技術(shù),為設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)人員提供引領(lǐng)潮流的選擇。
  • 寒武紀(jì)
    寒武紀(jì)
    +關(guān)注
    寒武紀(jì)是目前國(guó)際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一,能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺(tái)化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
  • 半導(dǎo)體芯片
    半導(dǎo)體芯片
    +關(guān)注
    半導(dǎo)體芯片:在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕,布線,制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片,常見(jiàn)的還包括砷化鎵(砷化鎵有毒,所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它),鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代,因特爾等美國(guó)企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(D-RAM)市場(chǎng)占上風(fēng)。
  • EnOcean
    EnOcean
    +關(guān)注
    德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線能量采集技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)者。2012年3月,國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”,這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
  • Heilind
    Heilind
    +關(guān)注
    Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場(chǎng)的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持,供應(yīng)來(lái)自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品,涵蓋25個(gè)不同元器件類別,并特別專注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開(kāi)關(guān)和傳感器、電路保護(hù)與熱管理、套管和線束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
  • 黃仁勛
    黃仁勛
    +關(guān)注
    揭開(kāi)Nvidia CEO 黃仁勛傳奇人生
  • 赫聯(lián)電子
    赫聯(lián)電子
    +關(guān)注
    Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場(chǎng)的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持,供應(yīng)來(lái)自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品,涵蓋25個(gè)不同元器件類別,特別專注于互聯(lián)和機(jī)電產(chǎn)品。
  • 盛思銳
    盛思銳
    +關(guān)注
  • RISC-V
    RISC-V
    +關(guān)注
    RISC-V是一個(gè)基于精簡(jiǎn)指令集(RISC)原則的開(kāi)源指令集架構(gòu)(ISA),重點(diǎn)在于它是開(kāi)源的,這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
  • 魏少軍
    魏少軍
    +關(guān)注
  • 柔性顯示
    柔性顯示
    +關(guān)注
    柔性顯示是使用了PHOLED磷光性O(shè)LED技術(shù),這種技術(shù)的特點(diǎn)是,低功耗,體積小,直接可視柔性。
  • 5G芯片
    5G芯片
    +關(guān)注
  • 梁孟松
    梁孟松
    +關(guān)注
    梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士,畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年,在四十歲那年加入臺(tái)積電,后來(lái)到三星,現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
  • 紫光展銳
    紫光展銳
    +關(guān)注
    紫光展銳是我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè),以生態(tài)為核心戰(zhàn)略,高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟,以價(jià)值、未來(lái)、服務(wù)為三個(gè)指向,為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
  • 華為p10
    華為p10
    +關(guān)注
    北京時(shí)間2017年2月26日,華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017(MWC)上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
  • 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
    長(zhǎng)江存儲(chǔ)
    +關(guān)注
  • MACOM
    MACOM
    +關(guān)注
    MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,總部位于美國(guó)馬薩諸塞州洛厄爾,擁有超過(guò)60年的歷史??偛吭O(shè)在美國(guó)洛厄爾,馬薩諸塞州。
  • 安路科技
    安路科技
    +關(guān)注
    上海安路信息科技有限公司成立于2011年,總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價(jià)比的可編程邏輯器件(FPGA)、可編程系統(tǒng)級(jí)芯片(SOC)、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
  • Uber
    Uber
    +關(guān)注
  • 驍龍835
    驍龍835
    +關(guān)注
    驍龍835(一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
  • 7nm
    7nm
    +關(guān)注
  • 華為Mate9
    華為Mate9
    +關(guān)注
      華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器,操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
  • 長(zhǎng)電科技
    長(zhǎng)電科技
    +關(guān)注
    長(zhǎng)電科技面向全球提供封裝設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及認(rèn)證,以及從芯片中測(cè)、封裝到成品測(cè)試及出貨的全套專業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長(zhǎng)電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場(chǎng)。
  • Haswell
    Haswell
    +關(guān)注
    Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu),Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列 在移動(dòng)版Core i7使用,而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器,而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外,Haswell將會(huì)使用LGA1150插座,無(wú)法和LGA1155替換。制程方面,Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
  • iBeacon
    iBeacon
    +關(guān)注
    iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS(iOS7)上配備的新功能。其工作方式是,配備有 低功耗藍(lán)牙(BLE)通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID,接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
  • 比特大陸
    比特大陸
    +關(guān)注
    公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出,以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū),深受用戶喜愛(ài)。
  • iPhone6S
    iPhone6S
    +關(guān)注
    北京時(shí)間2015年9月10日,美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s[1] 。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
  • 華天科技
    華天科技
    +關(guān)注
    華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù),產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
  • 東軟
    東軟
    +關(guān)注
    東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商,是上市企業(yè),股票代碼600718。公司成立于1991年,前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
  • OLED電視
    OLED電視
    +關(guān)注
    OLED(Organic Light-Emitting Diode),全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”,是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視,已經(jīng)不再需要LCD液晶面板,RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示,幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。
換一批

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(40人)

jf_66402353 jf_90233226 jf_65981738 jf_59085857 jf_16754549 夏繼琤 Jerry_Li_1 nmgdxwfq E02388_Clark cfansx 愛(ài)吃雞腿和蔬菜 jf_82890486

編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題