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標簽 > fram

fram簡介

  FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。

  特點

  FRAM的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題;但受鐵電晶體特性制約,F(xiàn)RAM仍有最大訪問(讀)次數(shù)的限制。

  FRAM存儲單元結(jié)構(gòu)

  FRAM的存儲單元主要由電容和場效應管構(gòu)成,但這個電容不是一般的電容,在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個存儲單元使用2個場效應管和2個電容,稱為“雙管雙容”(2T2C),每個存儲單元包括數(shù)據(jù)位和各自的參考位

fram百科

  FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。

  特點

  FRAM的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題;但受鐵電晶體特性制約,F(xiàn)RAM仍有最大訪問(讀)次數(shù)的限制。

  FRAM存儲單元結(jié)構(gòu)

  FRAM的存儲單元主要由電容和場效應管構(gòu)成,但這個電容不是一般的電容,在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個存儲單元使用2個場效應管和2個電容,稱為“雙管雙容”(2T2C),每個存儲單元包括數(shù)據(jù)位和各自的參考位

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fram知識

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fram技術(shù)

鐵電存儲器有哪些優(yōu)缺點

鐵電存儲器(Ferroelectric RAM, FRAM)作為一種新興的非易失性存儲器技術(shù),憑借其獨特的優(yōu)勢在存儲市場中占據(jù)了一席之地。然而,與任何技...

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FRAM內(nèi)存耐久度的優(yōu)勢分析

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2024-02-19 標簽:存儲器RAM內(nèi)存 342 0

鐵電存儲器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

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臺積電引領(lǐng)新興存儲技術(shù)潮流,功耗僅為同類技術(shù)的1%

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MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié),研發(fā)難度高,目前主要分為兩大類:傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM,前者以磁場驅(qū)動,后者則采用自旋極化電流驅(qū)動。

2024-01-22 標簽:臺積電存儲器存儲技術(shù) 382 0

MRAM(磁性只讀存儲器)和FRAM(鐵電RAM)有何區(qū)別

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什么是FRAM?關(guān)于鐵電存儲器FRAM的特性介紹

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2023-12-15 標簽:閃存EEPROMfram 2436 0

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